纳米级多叉指射频CMOS模型及其提取方法

摘要

本发明的一种纳米级多叉指射频CMOS模型，包括核心MOSFET模型和外围等效寄生参数子电路，所述核心MOSFET模型的STI应力模型参数为：根据大尺寸多叉指CMOS器件的常规NMOS直流模型的测量数据与常规CMOS直流模型仿真特性存在的差异修正常规MOS模型中的STI应力模型参数Kvtho、kuo和lkuo。本发明的模型能够适用于多叉指CMOS器件测量中，与器件能够很好的拟合，具有较高的精确度提取方法的准确性。