基于低温水热法实现大长径比ZnO纳米线阵列膜的多次外延生长方法

摘要

一种基于低温水热法实现大长径比ZnO纳米线阵列膜的多次外延生长方法，包括如下步骤：在硅基片上进行ZnO纳米籽晶层的溅射沉积；以ZnO纳米籽晶层作为引导层，利用水热法实现ZnO纳米线垂直取向阵列的生长，生长时间3小时；清洗试样，在ZnO纳米线阵列单次生长试样上继续应用水热法进行二次外延生长，生长时间3小时。本发明实现了单根ZnO纳米线顶端沿着(0001)方向的湿法外延生长，大幅度增大了纳米线的长径比，克服了单次ZnO纳米线生长条件下随生长时间延长的生长饱和现象。