法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-15
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L51/46 授权公告日:20141105 终止日期:20180223 申请日:20120223
专利权的终止
2014-11-05
授权
授权
2012-09-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/46 申请日:20120223
实质审查的生效
2012-07-04
公开
公开
技术领域
本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器及制备方法。
背景技术
目前研究较多且运用于实际中的探测器主要是无机探测器,其中以Si基、Ti基、GaN基以及ZnO基紫外光探测器为代表。有机材料尤其是有机小分子材料由于具有柔性、易裁剪性、结构及性能方面的多样性等诸多优点,近年来受到广泛关注。然而其在光电探测器应用方面的研究至今较少。方酸染料作为有机小分子材料的一类,是一种重要的有机光电功能染料,具体而言:光吸收波长范围是400nm-800nm; P型半导体材料;光响应迅速,电流开关比值较大。
发明内容
本发明是基于当今无机探测器的研究日益成熟,而有机材料尤其是具有诸多优点的有机小分子材料(柔性、结构及性能的多样性、官能团易裁剪性)应用于探测器方面的研究较少。为了充分利用有机小分子材料的优势,我们选用光电性能较好的有机小分子染料方酸,制备出方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器。该发明在暗场、白光、控温、真空环境下均显示出明显的整流信号,且当以一定波长范围的单色光(400nm-800nm)照射且施以负压时,出现反向电导增强的现象(即光电探测的依据)。
为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本发明通过以下技术方案实现:
方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器,所述探测器自上而下依次由方酸单根纳米线、金电极、绝缘衬底、N型硅迭置而成。
进一步的,所述方酸单根纳米线中的方酸为
2,4-bis[4-(N,N-dimethylamino)phenyl]squaraine,是一种具有较强光电导性的有机小分子材料,其分子式是 C20H20O2。
进一步的,所述金电极的尺寸为400μm×400μm,厚度为50nm。
进一步的,所述绝缘衬底为厚度为300nm的二氧化硅。
方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器的制备方法,按如下步骤进行:
a、利用光刻方法在表面氧化层厚度为300nm的N型硅片上面光刻出500μm×500μm的方块图形;
b、显影并刻蚀,选择性的将方形图形区域外的二氧化硅层刻蚀去除,制备出岛屿状500μm×500μm的方块二氧化硅图案;
c、进行二次光刻,在岛屿状500μm×500μm的方形二氧化硅图案正中光刻出400μm×400μm的方块电极图形;
d、通过磁控溅射或电子束沉积方法在方块电极的图形上制备出400μm×400μm的方块电极,电极材料为Au;
e、采用“溶剂挥发法”,制备出方酸单根纳米线,并滴加到制备好的电极上面。在显微镜的帮助下,挑选出能够准确搭在N型硅和金电极之间的方酸单根纳米线。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
1、 该发明对可见光敏感,为有机/无机光电探测器。
2、 该发明的器件结构简单,灵敏度高。
3、 该发明成本低,易于实现。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为本发明的结构示意图;
图2为本发明的暗场及白光环境下的I-V(电流-电压)曲线;
图3为本发明在电压为7V,周期性变换暗场和白光环境下的I-T(电流-时间响应)曲线;
图4为本发明在控温环境下的I-V曲线;
图5为本发明在真空环境下的I-V曲线;
图6为本发明在白光及550nm光激发下的I-V曲线;
图7为本发明在450nm、500nm、550nm波长的单色光激发下的I-V曲线。
图中标号说明:1.方酸单根纳米线,2.金电极,3.绝缘衬底,4.N型硅。
具体实施方式
下面将参考附图并结合实施例,来详细说明本发明。
参见图1所示,本实施例中方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器自上而下依次由方酸单根纳米线1,金电极2,绝缘衬底3,N型硅4迭置而成。
进一步的,所述方酸单根纳米线1中的方酸为
2,4-bis[4-(N,N-dimethylamino)phenyl]squaraine,是一种具有较强光电导性的有机小分子材料,其分子式是 C20H20O2。
进一步的,所述金电极2的宽度为400μm×400μm,厚度为50nm。
进一步的,所述绝缘衬底3为厚度是300nm的二氧化硅。
方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器的制备方法,按如下步骤进行:
a、利用光刻方法在表面氧化层厚度为300nm的N型硅片上面光刻出500μm×500μm的方块图形。
b、显影并刻蚀,选择性的将方形图形区域外的二氧化硅层刻蚀去除,制备出岛屿状500μm×500μm的方块二氧化硅图案。
c、进行二次光刻,在岛屿状500μm×500μm的方形二氧化硅图案正中光刻出400μm×400μm的方块电极图形;
d、通过磁控溅射或电子束沉积方法在方块电极的图形上制备出400μm×400μm的方块电极,电极材料为Au。
e、采用“溶剂挥发法”,制备出方酸纳米线。具体为:首先配制出浓度为9mg/L的方酸的二氯甲烷溶液,然后取1ml溶液缓慢滴加到含有5ml水的2.5cm×2.5cm称量瓶中(内含磁子),在溶剂挥发的同时进行磁力搅拌。待溶剂挥发完毕,水的表面漂浮着方酸的纳米线。将方酸纳米线滴加到制备好的电极上面。且在显微镜的帮助下,挑选出能够准确搭在金电极和N型硅电极上之间的方酸单根纳米线。
f、利用Keithley 4200-SCS测量不同环境下(暗场、白光、控温、真空)方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器的伏安特性。如图3所示,SQ在白光下有光响应,其在白光下的开启电压(5.3V)明显小于暗场的开启电压(6.3V)。如图4所示,控温环境下,器件依旧显示整流信号,且随着温度的降低,电流在变小。这是因为随着温度的降低,SQ载流子的活性在降低。如图5所示,真空环境下的电流要高于常压,这是由于抽真空时带走了水汽, SQ载流子更易流通所致。
g、利用Keithley 4200-SCS测量当电压固定为7V,且测量环境周期性变换(暗场和白光)的情况下,方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器的电流-时间曲线。如图3所示,SQ在白光下光响应迅速。
h、采用-7V-7V的电压和波长为450nm、500nm、550nm的单色光,分别测试方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器的伏安特性。如图6所示,在电压为-7V时,光电流与暗电流的比值高达3.89 x104。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
机译: 背面接触单异质结型太阳能电池的制造方法及背面接触单异质结型太阳能电池
机译: P型硫属化物和n型硅异质结红外光电二极管及其制造方法
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