锁存电路的电压特性调整方法和半导体器件的电压特性调整方法以及锁存电路的电压特性调整器

摘要

本发明提供一种锁存电路的电压特性调整方法和半导体器件的电压特性调整方法以及锁存电路的电压特性调整器。使电压(Vdd)低于通常工作时的电压(步骤S100)，然后向电源电压施加点(Vdd)、接地半导体衬底、阱施加电压，使得向导通的晶体管的栅极与半导体衬底之间、栅极与阱之间施加较高的电压(步骤S110、S120)。由此，能够使导通的晶体管的阈值电压上升，能够减小构成包含锁存电路的存储单元的多个晶体管间的阈值电压的偏差来谋求提高存储单元的电压特性。