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场效应晶体管、半导体基板、场效应晶体管的制造方法及半导体基板的制造方法

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摘要

本发明涉及场效应晶体管，其具有栅极绝缘层、与所述栅极绝缘层相接的第1半导体结晶层以及与第1半导体结晶层晶格匹配或准晶格匹配的第2半导体结晶层，所述栅极绝缘层、所述第1半导体结晶层及所述第2半导体结晶层按照栅极绝缘层、第1半导体结晶层、第2半导体结晶层的顺序配置，所述第1半导体结晶层是In

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-03-22

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/338 申请公布日:20120530 申请日:20100906

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-07-11

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/338 申请日:20100906

实质审查的生效
2012-05-30

公开

公开

1. 场效应晶体管、半导体基板、场效应晶体管的制造方法及半导体基板的制造方法 [P] . 中国专利： CN102484077A . 2012-05-30
2. 半导体基板、绝缘栅极型场效应晶体管以及半导体基板的制造方法 [P] . 中国专利： CN103069553B . 2015.08.19
3. PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND FIELD EFFECT TRANSISTOR [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1437765A4 . 2010-03-17

机译：半导体基板的制造方法，场效应晶体管的制造方法以及半导体基板和场效应晶体管的制造方法
4. PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND FIELD EFFECT TRANSISTOR [P] . 韩国专利： KR20040027901A . 2004-04-01

机译：半导体基板的制造方法，场效应晶体管的制造方法以及半导体基板和场效应晶体管的制造方法
5. PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND FIELD EFFECT TRANSISTOR [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1437765A1 . 2004-07-14

机译：半导体基板的制造方法，场效应晶体管的制造方法以及半导体基板和场效应晶体管的制造方法