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一种利用Al插入层外延生长NiSiGe材料的方法

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本发明公开了一种利用Al插入层外延生长NiSiGe材料的方法，该方法包括在SiGe层表面淀积一层Al薄膜，并在Al薄膜上淀积出一Ni层，然后进行退火工艺，使Ni层与SiGe层的SiGe材料进行反应，生成NiSiGe材料。因为Al插入层的阻挡作用，NiSiGe层具有单晶结构，和SiGe衬底的界面很平整，可以达到0.3nm，可以大幅度提高界面的性质。

著录项

公开/公告号CN102468124A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-05-23

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
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申请/专利号CN201010532645.1
发明设计人张苗;张波;薛忠营;王曦;
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申请日2010-11-04
分类号H01L21/02(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/283(20060101);C30B25/18(20060101);C30B33/02(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所;
代理人余明伟
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2023-12-18 05:12:52

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-04-29

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20120523 申请日:20101104

发明专利申请公布后的驳回
2012-07-04

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20101104

实质审查的生效
2012-05-23

公开

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1. 一种利用Al插入层外延生长NiSiGe材料的方法 [P] . 中国专利： CN102468124A . 2012-05-23
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