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基于电子束光刻和X射线曝光制作多层膜闪耀光栅的方法

摘要

本发明公开了一种基于电子束光刻和X射线曝光制作多层膜闪耀光栅的方法,该方法采用电子束直写制作X射线曝光掩模板,采用接触式曝光,在负性光刻胶上形成闪耀光栅图形,之后在此图形上生长多层膜,形成多层膜闪耀光栅。利用本发明,克服了电子束效率低和难制作闪耀角的缺点,结合了电子束的图形输出能力和X射线的高分辨率、高效率的优点,通过接触式曝光,调整曝光卡具的方向来改变X射线入射角度,完成闪耀光栅图形的生成,然后通过生长多层膜实现多层膜闪耀光栅的制作。

著录项

  • 公开/公告号CN102466980A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201010544428.4

  • 发明设计人 谢常青;李海亮;朱效立;刘明;

    申请日2010-11-12

  • 分类号G03F7/20;G03F7/00;G02B5/18;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2023-12-18 05:12:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-07-02

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G03F7/20 申请公布日:20120523 申请日:20101112

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-07-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/20 申请日:20101112

    实质审查的生效

  • 2012-05-23

    公开

    公开

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