法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-08-06
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/04 申请公布日:20120502 申请日:20111226
发明专利申请公布后的视为撤回
2012-06-27
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/04 申请日:20111226
实质审查的生效
2012-05-02
公开
公开
机译: 在包含至少一种半导体材料的纳米颗粒上制备包含石墨烯的碳层的方法,以及在包含至少一种半导体材料,特别是金属氧化物和复合材料的纳米颗粒上制备包含石墨烯的碳层的反应容器
机译: 制备具有在GaAs衬底上沉积的GaN外延层的外延晶片的方法
机译: 在多孔GaAs层的衬底上制备立方氮化镓薄膜的方法