直接式PECVD生产中节省气体的方法

摘要

本发明涉及一种直接式PECVD生产中节省气体的方法，其包括以下步骤：步骤①，针对原来生产中硅烷跟氨气的使用量，对该生产批次生产出的电池片进行首次取样检测；步骤②，对硅烷跟氨气的使用量进行定量的阶梯式递减供应；步骤③，对步骤②中生产批次生产出的电池片进行二次取样检测；步骤④，如果二次取样检测的结果与首次取样检测的结果对比未出现偏离，则继续进入步骤②，如果二次取样检测的结果与首次取样检测的结果对比出现偏离，则将硅烷跟氨气的使用量调整为级别降低前的量。由此，降低了硅烷跟氨气的使用量，在满足产品优良率的同时节省了成本，值得推广。

说明书

技术领域

本发明涉及一种气体使用量设置方法，尤其涉及一种直接式PECVD 生产中节省气体的方法。

背景技术

使用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition：等离子 体增强化学气相沉积)方法在晶体硅表面生长氮化硅减反层是整个晶硅太 阳能电池制作流程中重要的一环，它能减少入射光的反射，极大地提高电 池对光的利用。在生产中主要用膜厚跟折射率这两个参数来控制与评价氮 化硅膜的质量。

目前氮化硅膜的生长主要有两种方式1.直接式——硅片位于一个电极 上，直接接触等离子体；2.间接式——基片不接触激发电极，这两种方式 都需要用到硅烷跟氨气这两样特种气体。

目前生产上采用直接式PECVD的方法制备氮化硅膜的时候特气使用量 大约为：氨气6-9L/min，硅烷500-900ml/min，远大于实际反应所需求的量， 造成了浪费。

发明内容

本发明的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种直 接式PECVD生产中节省气体的方法。

本发明的目的通过以下技术方案来实现：

直接式PECVD生产中节省气体的方法，其特征在于包括以下步骤：步 骤①，针对原来生产中硅烷跟氨气的使用量，对该生产批次生产出的电池 片进行首次取样检测；步骤②，对硅烷跟氨气的使用量进行定量的阶梯式 递减供应；步骤③，对步骤②中生产批次生产出的电池片进行二次取样检 测；步骤④，如果二次取样检测的结果与首次取样检测的结果对比未出现 偏离，则继续进入步骤②，如果二次取样检测的结果与首次取样检测的结 果对比出现偏离，则将硅烷跟氨气的使用量调整为级别降低前的量。

上述的直接式PECVD生产中节省气体的方法，其中：所述取样检测的 项目包括氮化硅膜厚、折射率、均匀性。

进一步地，上述的直接式PECVD生产中节省气体的方法，其中：所述 硅烷跟氨气定量的阶梯式递减供应为每次递减100ml/min-1L/min单位的量 后供应。

本发明技术方案的优点主要体现在：可以在降低气体使用量过程中维 持气体比例不变，保证氮化硅膜折射率不受影响。由此，降低了硅烷跟氨 气的使用量，在满足产品优良率的同时节省了成本，值得推广。

本发明的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明 进行解释。这些实施例仅是应用本发明技术方案的典型范例，凡采取等同 替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。

具体实施方式

直接式PECVD生产中节省气体的方法，其与众不同之处在于包括以下 步骤：步骤①，针对原来生产中硅烷跟氨气的使用量，对该生产批次生产 出的电池片进行首次取样检测。具体来说，为了质量得到保证，取样检测 的项目包括氮化硅膜厚、折射率、均匀性。

步骤②，对硅烷跟氨气的使用量进行定量的阶梯式递减供应。步骤③， 对步骤②中生产批次生产出的电池片进行二次取样检测。

最后，如果二次取样检测的结果与首次取样检测的结果对比未出现偏 离，则继续进入步骤②。这样，结果多次的比对，获取最佳的量。

如果二次取样检测的结果与首次取样检测的结果对比出现偏离，则将 硅烷跟氨气的使用量调整为级别降低前的量，换句说，级别降低前的量已 经是最佳的量了。

就本发明一较佳的实施方式来看，考虑到实施的便利和精确，硅烷跟 氨气定量的阶梯式递减供应为每次递减100ml/min-1L/min单位的量后供 应。

具体来说，如果原来生产中硅烷跟氨气的使用量分别是(7L/min， 700ml/min)，则将流量分别降低到6L/min，600ml/min，经检查，生产出 来整批的电池片氮化硅膜厚、折射率、均匀性均无明显变化，那么气体使 用量就可以降为(6L/min，600ml/min)，节约14.3％。

接下来，以此类推可以再次将流量分别降低到(5L/min，500ml/min)， (4L/min，400ml/min)，(3L/min，300ml/min)等等(每次的气体使用量 的降低幅度都可以调整，不一定是1L/min单位的量后供应跟100ml/min)， 直到生产出来的氮化硅膜厚、折射率、均匀性有明显的偏离为止。由此， 获得最佳的使用量

通过上述的文字表述可以看出，采用本发明后，可以在降低气体使用 量过程中维持气体比例不变，保证氮化硅膜折射率不受影响。由此，降低 了硅烷跟氨气的使用量，在满足产品优良率的同时节省了成本，值得推广。