机译:使用C4F8 / O-2 / Ar化学方法对氮化硅PECVD腔室进行远程等离子体清洗过程中,含氮添加剂气体对整体变暖气体排放的影响
Remote plasma chamber cleaning; Global warming effect; Silicon nitride; C4f8; Polycrystalline silicon; Nitrogen; Cf4/o-2-2; Mechanism; Mixtures; Oxide;
机译:使用C4F8 / O-2 / Ar化学方法对氮化硅PECVD腔室进行远程等离子体清洗过程中,含氮添加剂气体对整体变暖气体排放的影响
机译:通过添加NO和N_2O,在氮化硅的C_4F_8O / O_2远程等离子体清洗中提高清洗速度并降低全球变暖效应
机译:C4F8 / Ar / O-2等离子体刻蚀对SiO2表面化学的影响
机译:减少PECVD室内清洁中温室气体的排放
机译:在远程三氟化氮和氧气室中清洁碳化硅时的排放特征。
机译:使用多层推挽式等离子体源的VHF(162 MHz)-PECVD用于柔性有机电子设备的氮化硅沉积
机译:高密度C4F8 / O 2 / Ar和C4F8 / O2 / Ar / CH2F2Plash的表面反应和气相化学研究,用于接触孔蚀刻