...
机译:通过添加NO和N_2O,在氮化硅的C_4F_8O / O_2远程等离子体清洗中提高清洗速度并降低全球变暖效应
Department of Materials Engineering and Center for Advanced Plasma Surface Technology, SungKyunKwan University, Suwon, Kyunggi-do 440-746, South Korea;
chamber cleaning; remote plasma cleaning; global warming effect; silicon nitride; C_4F_8O;
机译:使用c-C_4F_8O / O_2化学物质和添加的Ar和N_2的氮化硅等离子体清洗过程中的全球升温气体排放
机译:使用C4F8 / O-2 / Ar化学方法对氮化硅PECVD腔室进行远程等离子体清洗过程中,含氮添加剂气体对整体变暖气体排放的影响
机译:SF_6 / O_2和C_3F_6O / O_2等离子体中的氮化硅刻蚀特性及其对全球变暖影响的评估
机译:使用O_2,N_2O,H_2O,O_2等离子体或N_2O等离子体和Hf(IV)叔丁醇对化学气相沉积二氧化Ha和掺杂二氧化Silicon的比较
机译:二氧化硅/硅RIE之后的原位远程RF等离子体清洁和表面表征。
机译:引入常规的全院范围的漂白剂清洁程序可显着降低耐万古霉素的肠球菌(VRE)定植和疾病的速度
机译:光学表面的远程等离子清洁:不同碳同素异形体的清洁速率随RF功率和距离的变化
机译:向国会提交的综合报告洁净煤技术计划:减少煤炭/矿石综合清洁能源