一种半导体晶圆制造中污染控制方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体晶圆制造中污染控制方法。本发明一种半导体晶圆制造中污染控制方法，通过在硅片批上设置污染标志，在机台上设定允许通过的污染标志，利用判定硅片批所带的污染标志是否是机台所允许经过污染标志的方式来进行管控，不仅不需要给污染标志排定等级，还不会因为污染等级的增加而不断地加重维护的力量，从而实现轻松控制生产线的交叉污染，同时还能有效的预防低污染等级的硅片批由于进入高污染等级的机台后而使其本身出现的污染。