一种含有InAs量子点结构的多结太阳电池

摘要

本发明公开了一种含有InAs量子点结构的多结太阳电池，可应用于聚光光伏发电系统，其特征在于，以Si、Ge、GaAs等半导体单晶片为衬底，采用金属有机化合物化学气相沉积技术（MOCVD）或分子束外延生长技术（MBE）生长含有InAs/GaAs量子点结构的多结太阳电池材料，以p-i-n结构的InAs/GaAs量子点太阳电池为底电池、GaInAs电池为中间电池、GaInP电池为顶电池，从而优化多结电池的带宽搭配，提高太阳电池的转换效率。