公开/公告号CN102437187A
专利类型发明专利
公开/公告日2012-05-02
原文格式PDF
申请/专利权人 万国半导体股份有限公司;
申请/专利号CN201110306022.7
申请日2011-09-26
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/861(20060101);H01L27/07(20060101);H01L21/82(20060101);H02J7/00(20060101);
代理机构31213 上海新天专利代理有限公司;
代理人王敏杰
地址 美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德大道475号
入库时间 2023-12-18 05:04:15
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机译: 包含各种改进结构(包括MOSFET栅极和JFET栅极结构)的辐射增强型双栅极半导体晶体管器件及相关方法