一种局部俘获型快闪存储器实现多值/多位存储的操作方法

摘要

局部俘获型快闪存储器的多值/多位存储单元操作方法，对4位比特多值/多位存储单元的编程和擦除：对于存储单元左右物理存储位存储相同比特情况，先将存储单元置于擦除状态，则存储单元左右存储位同时实现“11”状态存储；若存储单元左右存储位同时实现“10”状态存储，则将处于擦除状态的单元均匀地编程到低位阈值电压编程状态；若存储单元左右存储位同时实现“01”状态存储，即次高位阈值电压编程状态，则将处于擦除状态的单元均匀编程到次高位阈值电压编程状态；若存储单元左右存储位同时实现“00”状态存储，则将处于擦除状态的单元均匀编程到最高位阈值电压编程状态；以上三种编程状态存储单元进行擦除作时使用均匀擦除操作方式。