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用于光伏器件应用的改善的硅薄膜沉积

摘要

本发明提供一种用于半导电金属层的在线沉积的成本有效的方法。更具体而言,本发明提供一种在浮法玻璃生产工艺中用于p型半导电金属层、n型半导电金属层和i型半导电金属层的沉积的在线热解沉积方法。另外,本发明提供一种用于单结p-(i-)n型与n-(i-)p型半导电金属层、双结p-(i-)n型与n-(i-)p型半导电金属层、三结p-(i-)n型与n-(i-)p型半导电金属层和多结p-(i-)n型与n-(i-)p型半导电金属层的生产的在线热解沉积方法。这种p型半导电金属层、n型半导电金属层和i型半导电金属层在光伏工业中是有用的并且对作为“增值的”产品的光伏模块的制造商是有吸引力的。

著录项

  • 公开/公告号CN102422428A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-04-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201080020714.9

  • 发明设计人 C·R·科丁;M·斯潘塞;K·增茂;

    申请日2010-04-07

  • 分类号H01L31/00;H01L31/18;

  • 代理机构永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人陈松涛

  • 地址 美国乔治亚州

  • 入库时间 2023-12-18 04:59:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-03-18

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/00 申请公布日:20120418 申请日:20100407

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-05-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/00 申请日:20100407

    实质审查的生效

  • 2012-04-18

    公开

    公开

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