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一种MOSFET器件LDD结构的定性分析方法

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摘要

本发明提供了一种MOSFET器件LDD结构的定性分析方法，包括以下步骤：A、按体积比HF∶HNO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-04-09

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N23/22 申请公布日:20120418 申请日:20110816

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-09-19

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N23/22 申请日:20110816

实质审查的生效
2012-04-18

公开

公开

1. 一种MOSFET器件LDD结构的定性分析方法 [P] . 中国专利： CN102419337A . 2012-04-18
2. 一种考虑结构参数不确定性的结构系统随机振动分析方法 [P] . 中国专利： CN109388871A . 2019-02-26
3. A method for the production of a semiconductor element with a mos - transistor with a ldd - structure [P] . 德国专利： DE69836124T2 . 2007-08-23

机译：一种具有具有ldd结构的mos-晶体管的半导体元件的制造方法
4. A method for producing a mos - transistor with ldd - structure [P] . 德国专利： DE4335851C2 . 2003-06-12

机译：一种具有ldd结构的mos晶体管的制造方法
5. A METHOD OF FABRICATING A MOS TRANSISTOR HAVING LDD STRUCTURE [P] . 韩国专利： KR100209220B1 . 1999-07-15

机译：一种制造具有LDD结构的MOS晶体管的方法