公开/公告号CN102339924A
专利类型发明专利
公开/公告日2012-02-01
原文格式PDF
申请/专利权人 华新丽华股份有限公司;
申请/专利号CN201010272989.3
申请日2010-09-06
分类号H01L33/46;H01L33/22;
代理机构北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司;
代理人孙皓晨
地址 中国台湾桃园县杨梅镇高山里高狮路566号
入库时间 2023-12-18 04:30:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-12-18
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L33/46 申请公布日:20120201 申请日:20100906
发明专利申请公布后的视为撤回
2012-03-28
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/46 申请日:20100906
实质审查的生效
2012-02-01
公开
公开
机译: 氮化镓基半导体发光器件,制造氮化镓基半导体发光器件的方法,氮化镓基发光二极管,外延晶片以及制造氮化镓基发光二极管的方法
机译: 氮化镓半导体发光元件,制造氮化镓半导体发光元件的方法,氮化镓发光二极管,外延晶片以及制造氮化镓半导体发光二极管的方法
机译: 氮化镓半导体发光元件及其制备方法,氮化镓发光二极管,表观晶圆和制备氮化镓发光二极管的方法