使用非矩形沟道来提升晶体管的性能

摘要

本发明包括与用于集成电路的布图和投影式掩膜，其中，晶体管的扩散形状包括在横向相对的一个或者两个边上的横向延伸的凹陷，该凹陷具有内拐角和外拐角，这两个拐角中的至少一个在纵向上相对于栅极导体定位成使得在将扩散形状光刻印刷到集成电路上期间，拐角将圆化并且和至少部分地延伸到沟道区域中。本发明还包括针对以下的多个方面：用于引入这种凹陷的系统和方法，以及具有非矩形沟道区域的集成电路器件，该沟道区域在其与源极区域相交处比在栅极之下的其他纵向位置处宽。