法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-08-21
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N25/02 申请公布日:20120111 申请日:20110921
发明专利申请公布后的视为撤回
2012-03-07
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N25/02 申请日:20110921
实质审查的生效
2012-01-11
公开
公开
机译: 从熔体中去除杂质包括:向坩埚提供有色金属或半导体材料的熔体;定向凝固该熔体以形成固化的块;以及从坩埚中去除一部分残留的熔体
机译: 衬里和提纯方法以及使用用于熔炼的坩埚将耐熔坩埚表面用于提纯硅熔体的硅熔体进一步定向凝固的方法
机译: 用于通过定向凝固从熔体生产硅块的装置包括生长室,该生长室具有可吸收熔体的矩形熔体容器,该容器被地幔加热装置和罩盖加热装置包围,以及地板加热装置