具有径向未对准补偿的分子粘附结合方法

摘要

本发明涉及一种具有径向未对准补偿的分子粘附结合方法。一种通过分子粘附将第一晶片(100)结合到第二晶片(200)上的方法，所述晶片之间具有初始径向未对准，所述方法至少包括一个使所述两个晶片(100，200)接触从而启动所述两个晶片之间的结合波的传播的步骤。根据本发明，在所述接触步骤期间，根据所述初始径向未对准在所述两个晶片中的至少一个上施加预定结合曲率(KB)。

说明书

技术领域

本发明涉及根据三维集成(3D集成)技术制造的多层半导体晶片 或结构的领域，该三维集成技术包括将由第二晶片构成的至少一层转 移到称为最终衬底的第一晶片上，所述层对应于第二晶片的一部分， 其中例如多个微元件的元件形成于该部分中，其他相应元件也形成于 第一晶片中。

背景技术

特别地，由于在给定层上出现的微元件的尺寸很小，数量很大， 因此每个转移层，也就是说每个包含该层的晶片必须以很高的精度位 于最终衬底(第一晶片本身，或已经包含其他转移层的第一晶片)上， 从而满足与下面的层严格对准。在层的转移之后，可能进一步需要对 层进行处理，例如为了形成其他微元件、为了揭开表面上的微元件、 为了形成互相连接等等，这些处理操作也必须以与层中的元件相关的 极高精度来进行。

将层转移到最终衬底上包括如上文所述类型的第一晶片和第二晶 片之间的分子粘附结合，通常随后第二晶片被减薄。在结合中，晶片 被机械地对准。在两个晶片之间可观察到三种类型的对准缺陷，也就 是“偏移”或“移动”类型对准缺陷、旋转类型对准缺陷和径向类型对准缺 陷(也称为“跑出”，扩大误差或变形误差)。

当在单个晶片上执行平版印刷步骤序列时，通常通过在平版印刷 机器中采用补偿算法来校正这三类缺陷，从而保持每个步骤之间的精 确对准。

在为了结合而在两个晶片之间进行对准的过程中，可通过修改在 结合机器中晶片相对于彼此的相对位置来机械地补偿移动和旋转类型 的对准缺陷。然而径向类型的对准缺陷不能通过这种晶片的重新定位 来补偿。

当待对准的两个晶片具有不同的径向扩张时，就会出现径向未对 准；径向扩张可由于每个晶片经历了不同的制造微元件过程而产生， 和/或由于施加于一个或其他晶片的处理可能导致他们被拉紧，并使他 们的尺寸发生微小变化而产生，例如引起晶片的拉伸应变的层沉积或 氧化的情况。

图1A描述了第一晶片10和第二晶片20之间的对准，该对准是为 了通过分子粘附来将第一晶片10和第二晶片20结合。第一组微元件 11已经预先形成于第一晶片10的结合表面上，而第二组微元件21已 经预先形成于第二晶片20的上表面上，该第二晶片要结合于第一晶片。 在晶片的结合之后，微元件11要与微元件21对准。

然而，在这里所描述的示例中，第一和第二晶片具有不同的径向 扩张，因此在这些晶片之间产生了径向未对准，该径向未对准在结合 之后导致多数微元件之间的偏移，例如图1B所示的偏移Δ₁₁，Δ₂₂，Δ₃₃， Δ₅₅，Δ₆₆或Δ₇₇(分别对应于微元件对11₁/12₁，11₂/12₂，11₃/12₃，11₅/12₅， 11₆/12₆和11₇/12₇之间观察到的偏移)。

造成两个晶片之间的径向未对准的径向扩张通常在晶片上是均匀 的，因此产生在晶片的中心和外围之间准线性地发展(即增加)的径 向未对准。

通过校正算法，并根据晶片上进行的未对准测量，可特别在通过 光刻形成元件的传统步骤中对径向未对准进行校正。

然而，径向未对准的校正只能在一个晶片自身上进行。此外，当 微元件的制造包括两个晶片之间的结合步骤，如制造三维结构的情况 时，不可能进行针对径向未对准的校正。

此外，当微元件的层被转移到具有第一层微元件的最终衬底上时， 当要将每层的微元件互相连接在一起时，能够最小化每层的这些微元 件之间的径向未对准是很重要的。事实上在这种情况下不可能通过平 版印刷补偿两层的微元件之间存在的未对准。

发明内容

本发明的目的是提供一种解决方案，使得能够对要结合在一起的 两个晶片之间存在的初始径向对准进行补偿。

为达此目的，本发明提供了一种通过分子粘附将第一晶片结合于 第二晶片上的方法，所述晶片之间具有初始径向未对准，该方法至少 包括接触步骤，使两个晶片接触，从而发起两个晶片之间的结合波的 传播，其特征在于在接触步骤中，根据初始径向未对准在两个晶片中 的至少一个上施加预定结合曲率。

如下文详述，通过在结合过程中监控晶片的曲率，可以引入补偿 初始存在的径向未对准的额外的径向未对准。

根据本发明的一个方面，在结合波传播的过程中，第二晶片自由 地适应于施加在第一晶片上的预定结合曲率。

根据本发明的另一方面，晶片是直径为300mm的圆形硅晶片，每 个晶片包括微元件。

根据本发明的一个方面，该方法在晶片的结合之前包括以下步骤：

-测量待补偿的两个晶片之间的初始径向未对准，

-在结合之前测量每个晶片的曲率，

-确定针对两个晶片之间的初始径向未对准的补偿径向未对准，

-计算结合后曲率，该结合后曲率能够产生两个晶片之间的所述补 偿径向未对准，

-根据计算的结合后曲率计算预定结合曲率。

根据本发明的一特定方面，该方法包括以下步骤：

-分别利用第一固定支撑件和第二固定支撑件彼此面对地固定第 一晶片和第二晶片，所述第一支撑件将所述预定结合曲率施加到所述 第一晶片上，

-使所述晶片接触从而发起所述晶片之间的结合波的传播，

-在与第一晶片接触之前或期间，从第二固定支撑件上释放第二晶 片，从而在结合波的传播过程中，所述第二晶片适应于施加在第一晶 片上的结合曲率。

根据本发明的一个特征，通过启动安装在第一固定支撑件上的起 重器将预定结合曲率施加到第一晶片上。

根据本发明的另一特征，通过在第一晶片和第一固定支撑之间引 入的隔膜，将预定结合曲率施加到第一晶片上，所述隔膜具有与所述 预定结合曲率相对应的曲率。

根据本发明的另一特征，通过第一固定支撑件将预定结合曲率施 加到第一晶片上，所述第一固定支撑件具有与所述预定结合曲率相对 应的曲率。

根据本发明的特定方面，所述晶片的每一个包括在其各自的结合 表面上的微元件，所述晶片中的一个的至少一些微元件要与另一晶片 的至少一些微元件对准。

本发明还涉及用于通过分子粘附将第一晶片结合于第二晶片上的 装置，在所述晶片之间具有初始径向未对准，所述装置包括第一和第 二固定支撑件，分别用来固定第一晶片和第二晶片，在该装置中，该 第一固定支撑件包括用于根据该初始径向未对准将预定结合曲率施加 到第一晶片上的施加装置，该装置控制第二固定支撑件从而在与第一 晶片接触之前或期间将第二晶片从该第二支撑件释放，从而在结合波 的传播过程中使所述第二晶片适应于施加在该第一晶片上的结合曲 率。

根据本发明的一个特征，该结合装置包括处理装置，用于根据初 始径向未对准来计算该预定结合曲率，或根据该初始径向未对准计算 对应于所述预定结合曲率的曲率半径。

根据本发明的一个特征，该第一固定支撑件进一步包括起重器， 该起重器能够在该第一晶片上施加该预定结合曲率，根据对应于所述 预定结合曲率的曲率半径驱动该起重器，该装置控制该第二固定支撑 件从而在与该第一晶片接触之后将该第二晶片从该第二支撑件释放， 从而在结合波的传播过程中，所述第二晶片适应于施加在该第一晶片 上的结合曲率。

根据本发明的另一特征，该装置进一步包括该第一晶片和该第一 固定支撑件之间的隔膜，所述隔膜的曲率对应于所述预定结合曲率。

根据本发明的又一实施例，该第一固定支撑件的曲率对应于所述 预定结合曲率。

根据本发明的一个方面，该第一和第二固定支撑件包括用于通过 吸引力或静电力固定所述晶片的装置。

根据本发明的另一方面，所述第一和第二固定支撑件适用于容纳 直径为100mm、150mm、200mm或300mm的圆形衬底。

附图说明

图1A和1B是显示了根据现有技术的三维结构的制造的示意图，

图2和3显示了具有“弓”型变形的晶片，

图4A到4C显示了在通过分子粘附结合两个晶片之前、期间和之 后得到的各种曲率，

图5A到5G是显示利用本发明的分子粘附结合方法制造的三维结 构的示意图，

图6是在图5A到5G描述的三维结构的制作过程中采用的步骤的 流程图，

图7是根据在通过分子粘附结合两个晶片期间在两个晶片上施加 的曲率的最终径向未对准的变化的图表。

具体实施方式

本发明主要应用于两个晶片之间通过分子粘附的结合，所述两个 晶片具有不同的径向扩张，这导致在结合之后两个晶片之间存在径向 未对准。

更特别但不排他地，本发明应用于至少两个晶片之间通过分子粘 附的结合，每个晶片包括元件，其中每个晶片的至少一些元件在结合 之后要被对准。

为了补偿结合之后晶片的径向未对准现象，本发明提出在晶片结 合期间在晶片上施加结合曲率，根据初始径向未对准预先限定该结合 曲率。

更确切地说，在结合之前，两个晶片的每一个都有其自己的曲率， 其可能是如图2的晶片30那样的凹进，或如图3的晶片40那样的凸 出。该曲率确定了晶片的弯曲变形，在半导体技术中用术语“弓度” (bow)来指代。如图2和3所示，晶片的弓度Δz对应于晶片在其上 自由放置的参考平面P(通常非常平坦)和晶片本身之间的距离(箭头)， 通常在晶片中心的水平上测量。在半导体领域通常采用的晶片尺寸上， 即几十毫米和300毫米之间，该弓度是以微米为单位的，而曲率通常 是以m^-1或km^-1为单位的，因为用于半导体领域的晶片的曲率非常小， 因此相应的曲率半径非常大。

图4A到4C显示了将第一晶片50(顶部)结合到支撑晶片60(底 部)之前和之后曲率的变化，第一晶片50和支撑晶片60的曲率分别 是K₁和K₂(图4A)。在分子粘附结合期间，曲率K_B指施加到两个晶片 50和60(图4B)中的一个上的曲率，在结合波传播期间，另一晶片 适应于施加在该第一晶片上的曲率，如下文详述。曲率K_B可通过结合 机器的特定的固定支撑件来施加，如下文详述，曲率K_B只针对两个晶 片中的一个，而另一晶片在结合波传播启动时不变形，从而在该传播 过程中适应于施加到另一晶片上的曲率。

一旦进行了结合，且晶片已经从其各自的固定支撑件上释放，由 结合的晶片50和60的组合构成的结构的曲率为K_F，称为结合后曲率。

结合后曲率K_F可通过以下公式计算：

K_F＝(2(K₁+K₂)+12K_B)/16    (1)

该公式是基于T.Turner等所著题为″Mechanics of wafer bonding： Effect of clamping″(“晶片结合结构：钳位效应”)，Journal of Applied  Physics，Vol.95，N°1，January 1，2004的文件中给出的公式(12)来确 定的。

根据该公式，可以看出结合曲率K_B对结合后曲率K_F的影响相对 于晶片50和60各自的初始曲率K₁和K₂的影响来说占主导地位(因 数为6)。

进一步地，结合之后两个晶片之间产生的径向未对准D_R可由以下 公式确定：

D_R＝-2(εR)(2)

其中R是在径向未对准的测量点处晶片中心之间的距离，而ε是 第一晶片50(顶部)的表面上施加的张力。

第一晶片的表面上施加的张力和结合后曲率K_F之间存在进一步的 关系，该关系由以下公式给出：

ε＝K_F(h/2) (3)

其中h是第一晶片的厚度。

通过将对应于张力ε的公式(3)的元素引入公式(2)，可以通过以下 公式建立结合后产生的径向未对准D_R和结合后曲率K_F之间的关系：

D_R＝-K_FhR (4)

可以看出，径向未对准D_R是结合后曲率K_F的函数。

因此，通过知道初始未对准D_Ri，补偿径向未对准D_Rc确定为D_Rc＝ -D_Ri，其中公式(4)给出D_Rc＝K_FhR。

可通过对相同批次的两个晶片之间进行结合，并测量这两个晶片 的未对准从而推导由此产生的初始径向分量，来测量初始径向对准。 两个晶片具有对准标记，例如简单的十字(通过游标尺或莫尔结构的 测量方法)，该标记使得能够通过红外线显微镜法或共焦红外线显微镜 法以微米为单位测量未对准，并在通常位于晶片的中心和外围的晶片 的多个位置上如此进行。可从这些测量中提取各个未对准分量，特别 是径向未对准。这些测量通常在布置在晶片的中心或外围的对准标记 的水平上进行，例如在距离300mm晶片的中心147mm处。在外围， 径向未对准是最大的，可能超过1微米，如图7所示，其可用上文所 述的显微镜测量技术来测量。

以这种方式，初始径向对准对于整个批次晶片来说是已知的，可 对这些晶片施加本发明的结合方法，并针对该初始径向未对准进行补 偿。用于测量该初始径向未对准的晶片对可从该批次中取出或隔离， 从而用根据本发明预先确定的结合曲率重新结合该晶片。

也可通过分别精确地测量两个晶片中的每一个上的两个微元件之 间的距离(0.33ppm之内)，并通过对比这两个差来确定该初始径向未 对准。

基于前一个公式(4)，目标结合后曲率K_Fc使得能够根据以下公式 来计算获得的补偿径向未对准：

K_Fc＝D_Rc/(h·R)(5)

公式(1)显示了根据两个晶片的初始曲率K₁和K₂以及结合曲率 K_B来确定结合后曲率K_F。由于曲率K₁和K₂对应于两个晶片的固有 曲率，只有曲率K_B表示能够调节结合后曲率K_F的值的可变参数。

因此，结合后曲率K_Fc的目标值使得能够获得基于公式(5)和事先 测量的曲率K₁和K₂计算出的补偿径向未对准，曲率K₁和K₂的测量 例如通过光学测量工具，诸如KLA-Tencor公司的KLA-Tencor Flexus (或任何通过电容性量表、光学轮廓测量仪或机械轮廓测量仪等能够 确定弓度的任何测量)，通过以下公式计算结合曲率K_B。该结合曲率 在结合期间施加给晶片从而获得目标结合后曲率K_Fc：

K_B＝(8K_F-(K₁+K₂))/6  (6)

现在参考图5A到5G和图6，描述通过将形成于第一晶片100的 微元件层转移到第二晶片200上而制造的三维结构，其利用了具有根 据本发明的实施例的针对径向未对准的补偿的结合方法。该晶片的直 径可特别为150mm、200mm、和300mm。

在三维结构的制造的开始，在第一晶片100的表面上形成第一组 微元件110(图5A，步骤S1)，并在第二晶片200的表面上形成第二 组微元件210(图5B，步骤S2)。微元件110和210可以是全部元件 和/或仅为其一部分。在本文的示例中，第一晶片100是SOT(绝缘体 硅)类型的直径300mm的晶片，包括硅层103和也由硅构成的支撑101， 可在该层和硅支撑之间布置由例如SiO₂构成的掩埋氧化层102。晶片 100也可包括其他类型的多层结构或单层结构。

第二晶片200是直径为300mm的硅晶片。

微元件110和210是利用掩模通过光刻来形成的，掩模能够限定 对应于要制造的微元件的图形的形成区域。

微元件110和210彼此相互作用，例如为了通过成对地连接微元 件110和210形成完整的元件，每个构成要制造的元件的一部分，或 为了形成用于相应的微元件110和210的互连电路。因此在晶片结合 之后能够确保微元件110和210之间的良好对准是很重要的。

根据本发明，使用结合机器，该结合机器在结合期间在其中一个 晶片上施加结合曲率K_B同时通过两个晶片之间的结合波的传播使另一 个晶片与施加的曲率相适应。该操作能够获得目标结合后曲率K_Fc，其 在两个晶片之间引入补偿径向未对准D_Rc，该补偿径向未对准D_Rc补偿 两个晶片之间存在的初始径向未对准D_Ri，初始径向未对准D_Ri是在晶 片结合之前在每个晶片上预先执行的各种处理期间(平版印刷、层沉 积、热处理等)引入的(晶片之间不同的径向扩张)。

如图5C所示，利用结合机器或装置300进行结合操作，机器或装 置300包括第一支撑板310，其具有用于固定第一晶片100使其面对第 二晶片200的固定表面311，第二晶片200固定在机器300的第二支撑 板320的固定表面321上。支撑板310和320都具有固定装置(在图 5C中未表示)，例如静电或张力固定装置。第一支撑板310和第二支 撑板320的每一个可沿位移方向d_px和d_py移动，这一方面能够将晶片 放置为彼此面对，同时补偿旋转和平移未对准误差，另一方面，分别 使第一支撑板310和第二支撑板320的固定表面311和321彼此接近 或远离。为达此目的，每个支撑板例如安装在激励器上(图5C中未所 表示)，该激励器由结合机器控制从而沿着方向d_p调节两个支撑件之间 的距离。

在结合开始的时候，两个晶片100和200每个被压迫固定于其各 自的支撑板的固定表面上(图5C，步骤S3)。

接下来，根据本发明，对应于通过上文给出的公式(6)计算的结合 曲率K_B，并且能够获得预先确定的目标结合后曲率K_Fc的曲率被施加 到第一晶片100(或可选地，第二晶片)，从而引入如上文所述的补偿 径向未对准D_Rc(图5D，步骤S4)。

为达此目的，第一支撑板310包括起重器或具有杆313的线性激 励器312，当起重器被激励时，杆313延伸超出板310的固定表面311， 其中第一晶片100压迫在该固定表面上。如图5D所示，在杆313的自 由端313a在第一晶片上推进时，可以将预定的结合曲率赋予该第一晶 片。在起重器312的激励期间，支撑板310的固定装置的吸引力，即 张力或静电力，可由结合机器控制，从而在板310的固定表面311上 限定的中央同中心区域的水平上被减少甚至消除，从而在由杆313产 生的晶片弯曲期间减小该晶片上的张力。

结合机器300控制杆313突出超过固定表面311的距离d_t，该距 离d_t根据要施加到晶片上的结合曲率K_B来确定。更确切地说，起重器 312装配有伺服控制器(没有表示)，其根据由结合机器300限定的设 置点位置来控制杆313的线性位置。

结合机器300装配有处理装置，例如可编程微处理器，在采用本 文所述的机器300中的起重器的情况下，其能够计算结合曲率K_B或等 价于该结合曲率K_B的曲率半径。更确切地说，晶片100和200分别的 初始曲率K₁和K₂，以及目标结合后曲率K_Fc被输入到结合机器中，然 后结合机器的处理装置利用上文给出的公式(6)计算要施加的结合曲率 K_B，并转化该值从而获得相应的目标曲率半径R_cb(R_cb＝1/K_B)。

需要发送到起重器312的伺服控制器的最后要限定的参数是弓度 Δz，其对应于曲率半径R_cb，因为如上文所示，晶片的弓度对应于取自 晶片中心的，这里是固定表面311的参考平面和晶片的表面之间的距 离，这里晶片的表面面向固定表面311。弓度Δz对应于施加结合曲率 时杆313必须延伸越过的距离d_t。

目标弓度Δzc是目标曲率半径R_cb的函数，可通过以下公式计算：

Δzc＝R_cb-√(R_cb²-(D/2)²)  (7)

其中D是要被弯曲的晶片的直径。

计算后，目标弓度Δzc的数值被传送到起重器312的伺服控制器， 其激励杆从而将杆放置在相等的距离d_t(d_t＝Δzc)上。

当结合曲率K_B被施加到第一晶片100上时，支撑板310和320向 着彼此移动，从而晶片100的最先部分100a(顶点)放置在正好与第 二晶片200的暴露表面接触的位置，从而启动结合波的传播(图5D， 步骤S5)。用于将第二晶片200固定在其支撑板320上的装置在使两个 晶片接触之前或期间被失效，从而在结合期间使第二晶片200适应于 施加在第一晶片100上的变形(曲率K_c)。

作为可选方案，两个晶片可放置为彼此距离Δzc，且随后可通过在 距离d_t＝Δzc上激励杆313使两个晶片中的一个变形，直到表面密切接 触。因此同时进行施加结合曲率K_B和启动结合波的传播。在这种情况 下，在结合波的传播期间，没有变形为预定结合曲率的晶片必须自由 地适应于施加在另一晶片上的结合曲率。

分子粘附结合本身是公知的技术。作为提醒，分子粘附结合的理 论基于使两个表面直接接触，也就是说不采用特定的材料(粘合剂、 蜡、铜焊等等)。这样的操作要求待结合的表面充分平滑，并且没有粒 子或污染，并且使它们充分靠紧在一起，从而能够开始接触，通常距 离小于几纳米。在这种情况下，两个表面之间的吸引力足够高，从而 导致结合波的传播，该传播导致分子粘附(由要结合的两个表面的原 子或分子之间的电子交互作用的所有吸引力(范德瓦尔斯力)引发的 结合)。

一旦结合波的传播开始，则第二晶片200从其支撑板320释放， 并在结合波的传播期间适应于施加到第一晶片100上的曲率(图5E， 步骤S6)。

当两个表面完全结合时，第一晶片100从其支撑件完全释放(图 5F，步骤S7)。然后就获得了三维结构400，其具有预先限定的目标曲 率K_Fc。

因此，能够通过应用预定结合曲率来补偿两个晶片100和200之 间存在的径向未对准。尽管在结合之前最初存在径向未对准，在结合 之后，微元件110与微元件210保持准确的对准。

图7中的曲线对应于在直径300mm、厚度775μm的两个晶片上进 行的测量，每个晶片具有两级金属和结合层，该结合层由TEOS类型 的沉积氧化物构成并已经制备好。图7显示了作为晶片的结合后曲率 K_F的函数的径向未对准的变化。可以看到，对于大约0.005m^-1的结合 后曲率K_F，对应于大约55μm的弓度，初始径向未对准已经完全被补 偿了。该曲线清楚地显示，通过调整结合后曲率，可以建立附加的径 向未对准分量，该分量能够补偿晶片之间存在的初始径向未对准。

结合之后，结构400可经受适当的热处理(低于500℃)，从而提 高两个晶片之间的结合能量，随后减薄其中一个晶片。

如图5G所示，减薄第一晶片100从而将微元件110层上方的部分 材料移除(步骤S8)。可特别通过化学机械研磨(CMP)、化学腐蚀、或 沿着通过例如原子注入预先在衬底中形成的弱化平面的分裂或断裂来 使该晶片100变薄。如果第一晶片是SOI类型的衬底，如本文的情况， 可有利地采用掩埋绝缘层作为化学腐蚀停止层，从而限定剩余层100a 的厚度。作为可选方案，如果初始衬底是疏松材料制成的，则可在元 件形成期间事先在其中形成深区，例如规则地位于材料表面的金属材 料区，从而阻止机器减薄(打磨)。

然后获得了三维结构500，其由第二晶片200和对应于第一晶片 100的剩余部分的层100a构成。

根据一可选实施例，在形成微元件之后，可将例如SiO₂的氧化层 沉积在第一和/或下层晶片的表面，用于结合的传播。该氧化层或这些 氧化层可进一步通过在其中形成例如铜的金属区来制备，该金属区与 全部或部分微元件接触，从而使一个晶片的微元件与另一晶片的微元 件接触。

进一步处理晶片的结合表面，为表面制备所采用的处理根据要获 得的结合能量而变化。如果目的是获得标准结合能量，也就是说相对 较低的结合能量，可通过化学机械研磨然后清洗来制备表面。而如果 目的是获得两个衬底之间的高结合能量，表面的制备包括RCA类型的 清洗(即适用于清除粒子和碳氢化合物的SC1冲洗(NH₄OH，H₂O₂， H₂O)和适用于清除金属污染物的SC2冲洗(HCl，H₂O₂，H₂O)的结合)、 通过等离子体的表面活化、和附加的清洗以及后续的擦光。

优选地，在可控温度下进行结合，从而降低两个晶片之间的温度 差。

结合曲率的施加也可利用包括位于第一晶片和固定该第一晶片的 支撑件之间的隔膜的结合机器来进行，该隔膜具有对应于所述预定结 合曲率的曲率，或利用包括用于第一晶片的固定支撑件的结合机器来 进行，该固定支撑件具有对应于所述预定结合曲率的曲率，在这种情 况下该固定支撑件可特别是可变形的，且由该机器驱动从而适应于由 其预先计算的结合曲率。第二晶片与第一晶片的接触以及在结合波传 播开始之前第二晶片的释放可按上文所述来进行。

依靠本发明的具有针对径向未对准的补偿的结合方法，能够将第 一晶片100(顶部)结合到第二晶片200(底部)上，而在微元件110 和210之间没有显著的偏移。因此能够在晶片的整个表面上均匀地将 径向未对准限制到可忽略的值。这样，即使微元件110和210的尺寸 非常小(例如＜1μm)，也可容易地彼此对准地形成。这使得能够例如 通过金属连接将微元件彼此互相连接，同时使不良互相连接的风险最 小化。