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基于SOI硅片的双端固支梁压阻系数的测量方法

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本发明公开了基于SOI硅片的双端固支梁压阻系数的测量方法，包括以下几个步骤：通过受力分析得出在静电力均布载荷的作用下，双端固支梁上部位于中间位置受压缩区域的大小是

著录项

公开/公告号CN102288832A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-12-21

原文格式PDF
申请/专利权人东南大学;
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申请/专利号CN201110125618.7
发明设计人李甲子;于虹;符鹏;
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申请日2011-05-16
分类号G01R27/14;
代理机构南京天翼专利代理有限责任公司;
代理人王鹏翔
地址 211109 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号
入库时间 2023-12-18 04:04:27

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-11-06

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01R27/14 申请公布日:20111221 申请日:20110516

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-02-08

实质审查的生效 IPC(主分类):G01R27/14 申请日:20110516

实质审查的生效
2011-12-21

公开

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