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互补金属氧化物半导体技术中的线性图像传感器

摘要

互补金属氧化物半导体技术中的线性图像传感器。一种时间延迟积分图像传感器,包括按行和列组织的像素(Px)的阵列。每个像素包括:第一光敏元件(D1);存储节点(A、C2);以及第一转移元件(TGM),连接在该第一光敏元件(D1)和该存储节点(A)之间。每个像素(Px)还包括:第二光敏元件(D1′);第二转移元件(TGH),连接在该第二光敏元件(D1′)和该存储节点(A)之间;以及第三转移元件(TGB),连接在该存储节点(A)和该列的相邻像素的第二光敏元件(D1′)之间。控制电路(15)被配置为同时地将该第一和第二转移元件(TGM、TGH)命令为导通状态并且将该第三转移元件(TGB)命令为截止状态,并且在不同阶段中,配置为同时地将该第一和第三转移元件(TGM、TGB)命令为导通状态并且将该第二转移元件(TGH)命令为截止状态。

著录项

  • 公开/公告号CN102271227A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 原子能和代替能源委员会;

    申请/专利号CN201110147086.7

  • 申请日2011-06-02

  • 分类号H04N5/353;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人张泓

  • 地址 法国巴黎

  • 入库时间 2023-12-18 03:55:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-01-22

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H04N5/353 申请公布日:20111207 申请日:20110602

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-12-07

    公开

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