用于产生多个光电子半导体元件的方法以及光电子半导体元件

摘要

公开了一种用于产生多个光电子半导体元件的方法。该方法包括形成多元件复合体(18)以及将多元件复合体分离成单独的半导体元件(20)。形成多元件复合体(18)包括为具有芯片装配表面(101)的载体(1)提供多个芯片装配区域(2)，每个芯片装配区域(2)被设置用于装配至少一个光电子半导体芯片(4)，并被分配给一个光电子半导体元件(20)。形成多元件复合体(18)包括在芯片装配表面(101)上形成至少两个第一不透明脊(3)，这两个第一脊(3)横向地将至少一个芯片装配区域(2)夹在中间。将多元件复合体(18)分离成单独的半导体元件(20)包括沿第一不透明脊(3)的主延伸方向进行穿过载体(1)和第一脊的第一切割(15)。另外，公开了一种光电子半导体元件。

说明书

技术领域

本申请涉及光电子半导体元件，以及用于产生多个光电子半导体元件 的方法。

发明内容

公开了一种用于产生多个光电子半导体元件的方法。该方法包括形成 多元件复合体。以随后的处理步骤将多元件复合体分离成单独的半导体元 件。

在本文中，“多元件复合体”的表达具体表示以该方法产生的中间产 物。多元件复合体优选为一个连续体，其包括多个将来的半导体元件。

形成多元件复合体包括提供载体。在将多元件复合体分离成单独的半 导体元件的过程中，该载体具体被划分成多个载体基底，每个载体基底被 分配给一个半导体元件。

载体具有芯片装配表面，该芯片装配表面具有多个芯片装配区域。每 个芯片装配区域被分配给一个光电子半导体元件。每个芯片装配区域被设 置成用于装配至少一个光电子半导体芯片。

优选地，载体无穿透部。换句话说，载体优选地不具有从芯片装配表 面完全延伸通过载体至其与芯片装配表面相对侧的通孔。这样，液体或粘 性材料(例如铸制材料或模制材料)可以在随后的处理步骤容易地应用于 芯片装配表面。液体/粘性材料溢出载体的危险性很低。

在一个实施例中，载体是载板，例如是电路板，具体为印刷电路板。 在一种改进中，载板包括陶瓷材料。在另一个实施例中，载体包括引线框 和连续膜，例如附着于引线框的塑料模。连续膜例如在与芯片装配表面相 对侧附着于引线框。

光电子半导体芯片优选地为发光二极管芯片(LED芯片)。LED芯 片具体被设置成用于发射红外光、可见光或紫外光。或者，光电子半导体 芯片或至少一个光电子半导体芯片可以是光接收半导体芯片。

形成多元件复合体还包括在芯片装配表面上形成至少一个第一脊。具 体地，在芯片装配表面上形成至少两个第一脊。优选地，第一脊侧向设置 在两个相邻的芯片装配区域之间。

具体而言，至少两个第一脊形成在芯片装配表面上。至少一个芯片装 配区域侧向地夹在两个第一脊之间。换句话说，在载体的顶视图中，两个 第一脊被安排成在至少一个芯片装配区域的相对侧。在有利的改进中，两 个第一脊彼此平行。

在优选实施例中，芯片装配区域被安排成具有至少两行和两列的矩 阵。在这种情况下，至少一个第一脊优选地在芯片装配区域的两个相邻列 之间延伸。在具有至少两个第一脊的实施例中，优选地，两个连续的第一 脊侧向地将芯片装配区域的一个列夹在中间。

将多元件复合体分离成单独的半导体元件包括沿第一脊的主延伸方 向实现通过载体和至少一个脊的至少一个第一切割。优选地，对于每个第 一脊，沿第一脊的主延伸方向实现通过载体和各第一脊的各第一切割。在 具有平行的第一脊的实施例中，第一切割也有利地平行。

利用该方法，在产生多元件复合体的过程中可以实现芯片装配区域之 间的小距离，并且快速机器周期是可能的。这使得能够实现有成本效益的 制造过程。

在一个实施例中，两个第一脊和载体限定凹槽，该凹槽包括被夹在中 间的芯片装配区域。在一个改进中，形成多元件复合体还包括利用封装材 料如环氧树脂或硅树脂来填充凹槽。

例如，封装材料是透辐射的。优选地，其是透明或半透明的。具体来 说，其至少对于具有适于通过光电子半导体芯片来发射或接收的波长的电 磁辐射是透明或半透明的。在一个实施例中，半透明封装材料包括荧光物 粒子和/或扩散体粒子。作为半透明或透明封装材料的可替选方案，可以 提供波长偏移封装材料。波长偏移封装材料吸收由基本完全进入封装材料 的半导体芯片发射的辐射，即，其吸收该辐射的至少90％，具体为该辐 射的至少95％，并发射波长转换的二次辐射。

在另一个实施例中，形成多元件复合体包括在第一脊中形成至少一个 横向沟道。形成至少一个横向沟道例如包括切割步骤。具体来说，横向沟 道具有主延伸方向，该主延伸方向与第一脊的主延伸方向或第一脊的公共 主延伸方向垂直。在两个第一脊和载体围绕部分或完全填充封装材料的凹 槽的实施例中，横向沟道优选地还延伸通过封装材料。

如果可用，该至少一个横向沟道(trench)具体将第一脊和封装材料 分离成至少两个分离的段区，这两个分离的段区沿第一脊的主延伸方向彼 此跟随。如果芯片装配区域按行和列安排，则沟道优选地在芯片装配区域 的两个相邻的行之间延伸。具体来说，两个横向沟道被形成为将芯片装配 区域的一行侧向地夹在中间。

在另一个实施例中，形成多元件复合体还包括在芯片装配表面产生至 少一个第二脊，该第二脊优选地被安排在两个相邻芯片装配区域之间。具 体来说，在芯片装配表面产生至少两个第二脊，该第二脊侧向地将至少一 个芯片装配区域夹在中间。该至少两个第二脊优选地彼此平行地延伸。在 有利的改进中，第二脊是不透明的。

第二脊以一定角度延伸到第一不透明脊，即，第二脊与第一脊不平行。 具体来说，第二脊的主延伸方向或第二脊的公共主延伸方向与第一脊的主 延伸方向或第一脊的公共主延伸方向垂直。如果芯片装配区域被安排成行 和列，则至少一个第二脊优选地在芯片装配区域的两行之间延伸，以及/ 或者芯片装配区域的一行被两个连续的第二脊侧向地夹在中间。在优选改 进中，第一和第二脊形成具有多个网格单元的网格，每个网格单元包括一 个芯片装配区域。

第一和/或第二脊例如可以由塑料材料形成。原则上，第一和第二脊 可以在一个工艺步骤中形成，例如通过利用具有与第一和第二脊相反形状 的腔体的单个模子的铸制或模制。然而，在优选实施例中，第二脊在形成 第一脊之后的方法步骤中形成。能够有利地、特别节省成本地实现第一和 第二脊的连续形成。例如，可以利用挤压工艺来形成第一和/或第二脊。 也可以想到利用铸制工艺或模制工艺(如喷射模制或转移模制工艺)来形 成第一和/第二脊。在这种情况下，该模子可以有利地具有相对简单的形 式。例如，其可以具有一个或多个沟槽形式的腔体。在一个改进中，一次 仅形成一个第一/第二脊或第一/第二脊的一个子集，该子集包括多个第一/ 第二脊。

在一个有利改进中，至少一个第二脊的至少一部分，尤其是每个第二 脊的至少一部分形成在一个横向沟道中。第二脊的该部分至少部分地填充 各横向沟道。优选地，每个横向沟道完全由一个第二脊填充，以及/或者 每个第二脊完全包含在一个横向沟道中。具体来说，横向沟道充当用于形 成第二脊的模子。该第二脊例如可以通过利用塑料材料填充横向沟道以简 单且节省成本的方式有利地形成。

在优选实施例中，将多元件复合体分离成单独的半导体元件包括沿第 二脊的主延伸方向实现通过载体和至少一个第二脊的至少一个第二切割。 具体来说，多个第二切割被实现，每个第二切割沿第二脊的主延伸方向延 伸通过载体和一个第二脊。

在另一个实施例中，第一脊配备有微结构。例如，利用模子通过铸制 或模制来形成第一脊，并且模子的表面被设置成具有相反的微结构。该微 结构被有利地设置成用于散射和/或衍射由光电子半导体芯片发射或接收 的辐射。微结构的基本元素的尺度例如为200nm或更大，以及/或5μm 或更小。本领域技术人员在原理上知道这种散射和/或衍射的微结构。

在一个实施例中，每个第一脊具有至少一个倾斜或弯曲的侧面。该倾 斜或弯曲的侧面具体为与夹在中间的芯片装配区域接近。倾斜或弯曲的侧 面可以有利地充当反射体，用于在元件操作中由光电子半导体芯片发射和 /或接收的辐射。在一个实施例中，倾斜或弯曲的侧面的倾斜角或曲率、 第一侧壁的材料以及封装材料被选择成使得入射到封装材料和倾斜或弯 曲侧面之间的界面上的至少一些辐射(具体为从光电子半导体芯片发射的 辐射)通过全内反射来反射。

在另一个实施例中，两个第二脊中的每个具有至少一个侧面，其面向 被夹在中间的芯片装配区域并与芯片装配表面垂直。这种第二脊可以通过 形成横向沟道并利用第二脊的材料填充该横向沟道而以简单并节省成本 的方式有利地形成。

在一个实施例中，第一脊和/或第二脊是不透明的。至少对于具有适 于通过光电子半导体芯片发射或接收的波长的电磁辐射来说，不透明的脊 具体传送最多10％，优选为5％或更少的入射到该脊上的电磁辐射。

在优选实施例中，第一和/或第二脊包括反射材料。例如，第一和/或 第二脊包括白色塑料材料。可替选地或另外，第一和/或第二脊包括矩阵 中的粒子，这些粒子具有比矩阵更高的折射率。例如，矩阵包括塑料材料， 如环氧树脂或硅树脂。粒子例如是TiO₂或SiO₂粒子。

有利地，根据本申请的方法允许产生具有反射体凹部的半导体元件， 其具体由第一脊的各部分和第二脊的各段区构成，同时具有特别小的尺 寸。例如，半导体元件具有6mm或更小的侧向尺度，优选为3mm或更 小的横向尺度。根据本申请的半导体元件尤其适合用于蜂窝电话。

在该方法的优选实施例中，形成多元件复合体包括将至少一个光电子 半导体芯片装配在至少一个芯片装配区域，优选地装配在被第一脊或被第 一和第二脊夹在中间的芯片装配区域中。半导体芯片优选地在形成第一脊 之后装配在芯片装配区域中。具体来说，在利用封装材料填充凹槽之前和 /或在形成第二脊之前装配半导体芯片。

在一个实施例中，第一和/或第二切割被实现，该切割在它们切入第 一或第二脊的位置比它们切入载体的位置更宽。换句话说，该切割在第一 或第二脊的区域具有比载体的区域更大的横截面。这样，载体中在形成多 元件复合体时被第一或第二脊覆盖的部分在该复合体被分离时由于切割 而被暴露。

此外，公开了一种光电子半导体元件。该光电子半导体元件包括具有 芯片装配表面的载体基底，该芯片装配表面包括芯片装配区域。载体基底 具体是分配给半导体元件的载体的一部分。半导体元件还包括芯片装配区 域上的光电子半导体芯片。

表述“光电子半导体元件”是指提供用于通过光电子半导体芯片的方 式发射和/或检测电磁辐射的电子元件。电子元件是以具有两个或多个外 部电接点引线或接触焊盘的分离形式包装的基本电子元件。电子元件具体 希望例如通过焊接到印刷电路板而被连接在一起，用以建立具有具体功能 的电子电路。

一种框架部件，具体为不透明的框架部件被安排在载体基底上。该框 架部件侧向地围绕其中安排有芯片装配区域的开口。具体来说，在芯片装 配表面的顶视图中，该框架部件完全围绕芯片装配区域。有利地，框架部 件包括两个第一脊的部分。优选地，框架部件还包括两个第二脊的段区。

在一个实施例中，框架部件由两个第一侧壁和两个第二侧壁构成。每 个侧壁由框架部件的单独部分包含。单独部分具体为分离的部分，其优选 地分离地制造。至少两个单独部分优选地在公共接口彼此毗连。公共接口 例如可以具有像锯痕一样的不规则性。

在另一个实施例中，框架部件至少具有第一侧壁，该第一侧壁具有面 向半导体芯片的倾斜或弯曲的侧面。第一侧壁具体由第一脊的一部分包 含。在优选的改进中，框架部件具有第二侧壁，该第二侧壁具有面向垂直 于芯片装配表面延伸的半导体芯片的侧壁。该第二侧壁具体由第二脊的段 区包含。

在一种改进中，倾斜或弯曲的侧壁配备有散射和/或衍射微结构。在 另一种改进中，面向芯片装配区域的第二侧壁的侧面没有和/或衍射微结 构。

在另一个实施例中，框架部件和载体基底至少在一侧侧向齐平。

对于利用根据本申请的方法制造的半导体元件，半导体芯片与框架部 件的距离可以有利地被选择为特别小。例如，至少一个第一侧壁和LED 芯片之间的距离和/或至少一个第二侧壁和LED芯片之间的距离的值为 0.2mm或更小，尤其为0.1mm或更小。

在一个实施例中，半导体元件由蜂窝电话包含。例如，半导体元件代 表蜂窝电话的闪光灯。

附图说明

根据以下结合附图所描述的示例性实施例，方法和半导体元件的有利 实施例以及改进将变得明显，

在附图中：

图1示出了在根据示例性实施例的方法的第一步骤期间多元件复合 体的细节的示意性顶视图；

图2A示出了在根据示例性实施例的方法的第二步骤期间多元件复合 体的细节的示意性横截面；

图2B示出了在根据示例性实施例的变型的方法的第二步骤期间多元 件复合体的细节的示意性横截面；

图3示出了在根据示例性实施例的方法的第三步骤期间多元件复合 体的细节的示意性横截面；

图4示出了在根据示例性实施例的方法的第四步骤期间多元件复合 体的细节的示意性顶视图；

图5示出了在根据示例性实施例的方法的第五步骤期间多元件复合 体的示意性透视图；

图6示出了在根据示例性实施例的方法的第六步骤期间多元件复合 体的示意性顶视图；

图7示出了在根据示例性实施例的方法的第七步骤期间多元件复合 体的示意性横截面图；

图8A-8H示出了第一脊的不同实施例的示意性横截面图；以及

图9示出了根据第二示例性实施例半导体元件的示意性顶视图。

具体实施方式

在示例性实施例和附图中，相似或相似行为的组成部分被设置成具有 相同的附图标记。图中所示的元件以及它们彼此之间的尺寸关系不应被认 为是真实比例。此外，为了更好的表示性和/或为了更好的理解，单独的 元件可以利用夸大的尺寸来表示。

如图1中所示，其示出了在根据一个示例性实施例的方法的第一步骤 期间多元件复合体18的细节的示意性顶视图，提供了载体1。本实施例 中的载体1是印刷电路板。多元件复合体18例如具有101.6mm或更小、 具体为50.8mm或更小的最大横向尺度，即，具体为载体的顶视图中的最 大尺度，该尺度也适于其它实施例。

电路板1的芯片装配表面101上具有第一导体轨迹110和第二导体轨 迹120。例如，载体可以具有基本平坦的表面，具体为离开导体轨迹的平 坦表面。在其与芯片装配表面101相对的一侧，电路板1具有第一和第二 外部电接触焊盘130、140(参见图2A)。每个第一外部电接触焊盘130 被电连接到第一导体轨迹110，每个第二外部电接触焊盘140被电连接到 第二导体轨迹120。外部电接触焊盘130、140被设置成用于在其操作期 间将操作电流馈送到将来的半导体元件中。

芯片装配区域2被设置在芯片装配表面101上。在本实施例中，芯片 装配区域2由电路板1的第一导体轨迹110表示。在本实施例中，芯片装 配区域2被设置成具有多个行和列的矩阵形式。

多个第一不透明脊3形成在载体1的芯片装配表面101上。例如，第 一脊3由白色塑料材料形成。形成第一脊3具体包括模制工艺。此外，脊 3可以通过沉积工艺如喷射模制或挤压的方式形成在芯片装配表面。沉积 工艺可以包括将模子定位到芯片装配表面上。

在本实施例中，具有多个腔体的模子被按压到芯片装配表面101上。 每个腔体具有沟槽(channel)的形态，该沟槽具有与第一脊3相反的模 型。该模型被设置成使得两个连续的沟槽横向围绕芯片装配区域2的一个 列。

随后，粘性塑料材料被注入沟槽并被硬化，使得形成第一脊3。之后， 模板被移除，留下芯片装配表面101上的第一脊3。每两个连续的第一脊 3横向围绕，或换句话说，侧向地将芯片装配区域2的一列夹在中间。

在本实施例中，第一脊3具有如图8B所示的梯形横截面。更明确地， 横截面具有等腰梯形的形式，两个平行边中较长的一边与芯片装配表面 101紧接。

图8A和8C-8H示出了第一脊3的可替选实施例的示意性横截面图。 根据图8A的横截面具有三角形的形式，具体为等腰三角形。根据图8C 和8E的横截面具有等腰三角关系的形式，其具有紧接于芯片装配表面101 的直线底边和非直线但具有凹入(图8C)或凸出(图8E)曲率的边。根 据图8D和8F的横截面基本上与具有等腰梯形形式的图8B的横截面对 应。与后一种横截面比较，根据图8D和8F的梯形的边具有凹入(图8D) 或凸出(图8F)的曲率。根据图8G的横截面为半圆形。根据图8H的横 截面为椭圆形的一部分的形式。

具有根据图8A或8B的横截面的第一脊3具有倾斜的侧面301。具 有根据图8C到8H的横截面的第一脊3具有弯曲侧面301。

在每种情况下，第一脊3的侧面301(与其横截面的边对应)可以配 备有辐射散射和/或衍射微结构3010。作为实例，具有辐射散射微结构3010 的侧面301在图8H中示出。

图2A是沿图1的线A-A的示意性横截面，在图2A中，示出了根据 示例性实施例的方法的第二步骤。在第二步骤中，光电子半导体芯片4(具 体为LED芯片)被装配在一个芯片装配区域2中。具体来说，至少一个 光电子半导体元件4被装配到每个芯片装配区域2中。

在一个实施例中，第一脊的侧面301的倾斜角被选择成使得至少一些 由工作中的LED芯片4发射的光能够在侧面301被全内反射。

LED芯片4例如被焊接或粘合性地结合到第一导体轨迹110，使得 LED芯片4被电连接到且机械地固定到第一导体轨迹110。第二电连接通 过接合线5在LED芯片4和接近第一导体轨迹110的第二导体轨迹120 之间建立。接合线5附着到LED芯片4远离载体1的一侧。接合线5例 如是金线或铝线。

可替选地，光电子半导体芯片4可以被设计成在一侧具有两个电连 接。例如，其可以被提供用于所谓的“倒装芯片”的装配。在这种情况下， 芯片装配区域2例如可以包括一个第一导体轨迹110和一个第二导体轨迹 120。这在图2B的示意性横截面中以示例方式示出，图2B示出了在根据 示例性实施例的变型的方法的第二步骤期间多元件复合体18的细节。

根据图2B所示的变型，载体1不是电路板。取而代之的是，载体1 由引线框11和连续膜12构成。连续膜12优选地包括塑料模。在本方法 变型中，其在芯片装配表面的相对侧被附着(例如粘合性地结合)到引线 框11。连续膜12有利地封闭引线框11的开口，使得塑料材料在形成第 一脊3期间不能溢出载体1。

如图3中的示意性横截面所示，根据该方法的示例性实施例的多元件 复合体18的形成继续进行：利用透明封装材料7来填充凹槽(groove)6， 该凹槽6由连续的第一脊3和载体1的对来限定。在一种变型中，封装材 料7可以包括荧光物粒子，如YAG:Ce粒子和/或扩散体粒子。封装材料 7为串的形式，在芯片装配表面101的顶视图中，每个串覆盖芯片装配区 域2的一列。

图4示出了根据示例性实施例的方法的第四步骤期间多元件复合体 18的细节的示意性顶视图。在该步骤中，横向沟道8例如通过利用锯条 切割而形成于第一脊3和封装材料7的串中。

在一种改进中，载体配备有对准标记9(参见图1)。对准标记9被设 置于在第四个方法步骤中形成的横向沟道8的区域中。例如，可以使用对 准标记9来对准锯条，以便于切割横向沟道8。这样，可以有利地降低在 形成横向沟道8期间损坏所装配的半导体芯片4的风险。该对准标记9 也适用于本方法的其它实施例。

优选地，第一脊3的材料和封装材料7在横向沟道的区域中被完全 移除，使得载体1被暴露。横向沟道8优选地不完全穿透载体1，即，载 体1优选地不会由于切割横向沟道8而被分开。

在本实施例中，横向沟道8具有与第一脊3的主延伸方向垂直的主延 伸方向。每个横向沟道8在芯片装配区域的相邻两行之间延伸。具体来说， 每两个相邻的横向沟道8将芯片装配区域2的一行侧向地夹在中间。

横向沟道8将第一脊3分成单独的段区31、32、33、34。每个第一 脊3的段区31、32、33、34沿第一脊3的主延伸方向彼此跟随。具体来 说，每个段区31、32、33、34被分配给芯片装配区域2的一行。

在随后的方法步骤中，如图5的示意性透视图所示，横向沟道8被白 色塑料材料完全填满，使得形成第二不透明脊10。优选地，在第一脊3 的两端均形成附加的第二不透明脊10。这样，每对连续的第二脊10将芯 片装配区域2的一行侧向地夹在中间。第二脊10和第一脊3的段区31、 32、33、34形成矩形网格。网格的每个单元包括一个芯片装配区域2。

图6示出了在根据示例性实施例的方法的第六个步骤期间示意性顶 视图中的多元件复合体18。在第六个步骤中，多元件复合体18被分离成 单独的光电子半导体元件20。

分离借助于通过载体1和第一脊3的第一切割15以及通过载体1和 第二脊10的第二切割16来实现。第一切割15沿第一脊3的主延伸方向 延伸。第二切割16沿第二脊10的主延伸方向延伸。每个第一切割15将 一个第一脊3的每个段区31、32、33、34分成两个部分，每个部分被分 配给一个半导体元件20。每个第二切割16将每个第二脊10分成两个部 分，每个部分被分配给半导体元件的一行。第一切割15和/或第二切割16 例如具有0.2mm或更小，具体为0.1mm或更小的宽度，即，具体为与第 一/第二脊的主延伸方向垂直的侧向尺度。这些宽度也适用于其它实施例。

图7示出了沿图6的线B-B的示意性横截面图。在图7中，示出了 在通过第一切割15和第二切割16进行的多元件复合体18的分割之后的 光电子半导体元件20。

每个元件20具有载体基底100，该载体基底100是载体1的一部分， 其是通过一组第一切割15和第二切割16而从载体1切割出来的。其还具 有框架部件25，该框架部件25由两个第一侧壁31A、31B以及两个第二 侧壁10A、10B构成。每个第一侧壁31A、31B与第一脊3的段区31的 各部分中的一个对应。每个第二侧壁10A、10B与第二侧壁10的一个部 分的段区对应。

框架部件25(即第一和第二侧壁31A、31B、10A、10B)侧向围绕 其中安排有芯片装配区域2的开口250。这样，框架部件25充当用于由 LED芯片5发射的辐射的反射体凹部。开口250填充有封装材料7。

第一侧壁31A、31B每个具有倾斜的、面向LED芯片4的侧面。第 二侧壁10A、10B的侧面1001与芯片装配表面101垂直。

框架部件25和载体基底100至少在半导体元件的一侧横向齐平。具 体来说，半导体元件20的至少一个侧面是平坦侧面，并包括载体基底100 的侧面和第一或第二侧壁31A、31B、10A、10B中的一个的侧面。

图9示出了半导体元件20的示意性顶视图中光电子半导体元件的第 二示例性实施例。

与根据第一示例性实施例的半导体元件相比，根据第二示例性实施例 的半导体元件20包括多个半导体芯片4。例如，其包括至少一个设置用 于发射红光的光电子半导体芯片4R、至少一个设置用于发射绿光的光电 子半导体芯片4G和/或至少一个设置用于发射蓝光的光电子半导体芯片 4B。在本实施例中，半导体元件包括一个发红光的LED芯片4R、一个 发绿光的LED芯片4G和一个发蓝光的LED芯片4B。

元件20例如包括公共第一外部电接触焊盘130和用于每个半导体芯 片4R、4G、4B的单独的第二外部电接触焊盘140R、140G、140B。

第一和第二外部电接触焊盘130、140R、140G、140B并非必需如结 合第一实施例示例性描述的那样，被安排在载体基底100的芯片装配表面 101的相对侧。相反，它们还可以被安排在芯片装配表面101上的框架部 件25的旁边，以及/或者被安排在载体基底100的至少一个侧面。在第二 实施例中，第一和第二外部电接触焊盘130、140R、140G、140B被安排 在第二侧壁10A、10B旁边的芯片装配表面101上以及载体基底100的两 个相对侧面上。

例如，通过进行第二切割16而暴露了芯片装配表面101上在第二侧 壁10A、10B旁边的远离芯片装配区域2的部分，第二切割16在第二侧 壁10的区域具有比在载体1的区域更宽的横截面。例如，利用具有台阶 剖面的锯条进行第二切割16。

可以以相同方式来实现第一切割15，以便于暴露载体基底100上在 第一侧壁31A、31B旁边的部分。然而，在本实施例中，第一侧壁31A、 31B和载体基底100横向平齐。

本发明并非基于所述示例性实施例的描述而局限于示例性实施例。相 反，本发明包含任何新的特征以及还包含这些特征的组合，这尤其包括专 利的权利要求中的特征的任何组合以及示例性实施例中的特征的任何组 合，即使该特征或该组合本身在专利的权利要求或示例性实施例中未被详 细说明。

本专利申请要求欧洲专利申请09156957.4的优先权，其公开的内容 通过引用合并于此。