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一种利用纳米微粒排列形状测量近场光强分布的方法

摘要

本发明公开了一种利用纳米微粒的排列形状对近场光强分布进行测量的方法。它是一种利用隐失场所产生的强梯度力来操作纳米微粒,根据操作后产生的排列图案探测近场光强分布的方法。将纳米微粒置于精细结构的近场区域后,迅速衰减的隐失场能提供捕获微粒所需的梯度力,以实现纳米微粒稳定高效的捕获操作。近场区域内形成的三维光阱能平衡外界干扰力,将纳米微粒稳定捕获并约束于光强极点附近,因此微粒最终排列形成的图案形状能反映出精细结构近场区域的光强分布。利用纳米微粒在近场区域的排列形状,可实现精细结构表面近场光强的精确探测。

著录项

  • 公开/公告号CN102261954A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-11-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201110104356.6

  • 发明设计人 杨立军;刘炳辉;王扬;

    申请日2011-04-26

  • 分类号G01J1/58;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2023-12-18 03:47:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-08-21

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01J1/58 申请公布日:20111130 申请日:20110426

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-01-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01J1/58 申请日:20110426

    实质审查的生效

  • 2011-11-30

    公开

    公开

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