一种能有效抗灰迹的KTP晶体的制备方法

摘要

本发明涉及一种能有效抗灰迹的KTP晶体的制备方法，步骤如下1)采用顶端籽晶+提拉的方法，缓慢降温，稍高一点提速；2)提高熔质浓度，提高其实生长温度；3)溶剂组成提高；4)用[100]方向籽晶，单生长区；5)添加PbO，起始生长温度～1007℃，降温78℃，0.5～3℃/天，45天，拉速0.1～0.9mm/天，正反转动60～20rpm。本发明采用采用顶端籽晶+提拉的方法来制备KTP晶体，降低了KTP晶体的吸收系数，能有效的抵抗灰迹产生，使KTP晶体的倍频转换效率得到增强。