抗“灰迹”KTP晶体光学性能研究

摘要

用改进的熔盐顶部籽晶法生长了KTiOPO4(KTP)晶体并对该晶体进行了抗"灰迹"性能测试。测试表明,在功率密度为120kW/cm2的1064nm激光和10kW/cm2的532nm激光共同照射1000 s后,晶体在633nm处的吸收依然维持在1.05×10-4/cm左右,表明该晶体比普通KTP晶体具有更高的抗"灰迹"性能。透过率测试表明,用本方法生长的KTP晶体在波长短于500nm的区域比普通KTP晶体有更高的透过率。通过实验测定,得出该晶体在室温下1064nm倍频Ⅱ类相位匹配角θ=90°时=24.40°。