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一种8-羟基喹啉铝为修饰层的C60有机场效应晶体管

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摘要

一种8-羟基喹啉铝为修饰层的C60有机场效应晶体管，包括栅电极、复合绝缘层、有源层、修饰层和源漏电极，其中修饰层为8-羟基喹啉铝并作为电极/有源层的阻挡层，栅电极为重掺杂磷的硅衬底，复合绝缘层包括SiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-04-10

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L51/05 申请公布日:20111019 申请日:20110512

发明专利申请公布后的视为撤回
2011-11-30

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/05 申请日:20110512

实质审查的生效
2011-10-19

公开

公开

1. 一种8-羟基喹啉铝为修饰层的C60有机场效应晶体管 [P] . 中国专利： CN102222766A . 2011-10-19
2. 三(8-羟基喹啉-5-磺酸根)合铝配阴离子插层水滑石复合发光材料及其制备方法 [P] . 中国专利： CN101768435B . 2012.08.22
3. An organic electronic device comprising a layer of a dibenzofuran compound and an 8-hydroxyquinolinolato alkaline earth metal complex or an 8-hydroxyquinolinolato alkali metal complex [P] . 日本专利： JP5990515B2 . 2016-09-14

机译：一种有机电子器件，其包含二苯并呋喃化合物层和8-羟基喹啉基碱土金属配合物或8-羟基喹啉基碱金属配合物
4. Including a layer and dibenzofuran compounds or 8-hydroxy-quinolinolato alkaline earth metal complexes with 8-hydroxy-quinolinolate alkali metal complexes, organic electronic devices [P] . 日本专利： JP2013535106A . 2013-09-09

机译：包括一层和二苯并呋喃化合物或8-羟基-喹啉基碱土金属配合物与8-羟基-喹啉基碱金属配合物，有机电子设备
5. A method for the production of 5,7 - dichlorobenzene - 8 - hydroxyquinoline or 5,7 - dichlorobenzene - 8 - hydroxy of quinaldine [P] . 德国专利： DE1695608A1 . 1972-03-02

机译：一种喹啉的5,7-二氯苯-8-羟基喹啉或5,7-二氯苯-8-羟基的生产方法