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具有在分别的接合衬底上形成的沟道、电极及半导体的电子器件

摘要

一种电子器件具有两个接合构件。第一构件包括:界定用于接收流体的流体沟道的衬底,以及在衬底上形成并被流体沟道分隔开的第一和第二电极。第二构件包括衬底和在衬底上形成的半导体。该半导体具有可调制电性质。接合构件,其中半导体跨过流体沟道桥接电极并靠近流体沟道,从而允许半导体电性质由在流体沟道中接收的流体来调制。电极和半导体可实质上包含碳纳米管。衬底可包括可层叠材料。各衬底可实质上包含聚合材料。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-09-10

    专利权的视为放弃 IPC(主分类):H01L29/66 放弃生效日:20111012 申请日:20090922

    专利权的视为放弃

  • 2011-11-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/66 申请日:20090922

    实质审查的生效

  • 2011-10-12

    公开

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