法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-09-10
专利权的视为放弃 IPC(主分类):H01L29/66 放弃生效日:20111012 申请日:20090922
专利权的视为放弃
2011-11-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/66 申请日:20090922
实质审查的生效
2011-10-12
公开
公开
机译: 场效应管续势垒-在衬底上具有源极-漏极区,在绝缘层上具有栅电极,在衬底之间的沟道区,源极-漏极和半导体层
机译: 半导体器件N型半导体器件具有半导体衬底,该半导体衬底选择性地包括形成在晶体管区域中的栅电极结构下方的硅/锗沟道区域。
机译: 互补晶体管的制造方法,涉及在另一衬底上形成具有特定临界尺寸的n沟道和p沟道晶体管的栅电极结构。