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具有在沟道区之下的Delta掺杂层的Ⅲ-Ⅴ族器件

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摘要

本发明III-V族材料器件具有在沟道区之下的delta掺杂区。这可通过减小栅极与沟道区之间的距离来提高该器件的性能。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-12-18

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/78 申请公布日:20110831 申请日:20091202

发明专利申请公布后的视为撤回
2011-10-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20091202

实质审查的生效
2011-08-31

公开

公开

1. 具有在沟道区之下的Delta掺杂层的Ⅲ-Ⅴ族器件 [P] . 中国专利： CN102171831A . 2011-08-31
2. Delta沟道掺杂SiC垂直功率MOS器件制作方法 [P] . 中国专利： CN105470288B . 2018.10.19
3. Group III-V device having a delta-doped layer below the channel region [P] . 日本专利： JP2012510172A . 2012-04-26

机译： III-V族器件在沟道区下方具有δ掺杂层
4. Group III-V devices with delta-doped layer under channel region [P] . 美国专利： US2010148153A1 . 2010-06-17

机译： III-V族器件在沟道区下方具有δ掺杂层
5. Electronic device including a doped region disposed under and having a higher dopant concentration than a channel region and a process of forming the same [P] . 美国专利： US8389369B2 . 2013-03-05

机译：包括设置在沟道区下方并具有比沟道区高的掺杂剂浓度的掺杂区的电子器件及其形成工艺