能使位错移位的制造和处理绝缘体上半导体型结构体的方法及相应结构体

摘要

本发明主要涉及一种制造和处理连续包含载体基板(1)、氧化物层(3)和半导体材料的薄层(2)的绝缘体上半导体型结构体的方法，根据所述方法：1)在所述薄层(2)上形成掩模，以界定未被掩模覆盖的所述层的表面上的暴露区域(20)；2)进行热处理，以促使氧化物层(3)的至少部分氧透过薄层(2)扩散，引起对应于所需图案的氧化物层(3)的区域(30)中氧化物的受控去除；所述方法特征在于，所述载体基板(1)和薄层(2)相对于彼此的设置使得它们的晶格在平行于它们的界面(I)的平面中共同形成不超过1°的称为“扭转角”的角，并在垂直于它们的界面(I)的平面中共同形成不超过1°的称为“倾角”的角，其特征还在于使用厚度低于