首页> 中国专利> 阻挡膜与漏电极膜和源电极膜之间的密合强度优异的薄膜晶体管

阻挡膜与漏电极膜和源电极膜之间的密合强度优异的薄膜晶体管

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管,其在阻挡膜与电极膜之间具有密合强化膜,密合强化膜由(a)形成于电极膜侧的纯铜化区域、以及(b)形成于与阻挡膜的界面部且构成成分由Cu、Ca、氧和Si构成的成分凝集区域这两个区域构成,在成分凝集区域的厚度方向的Ca和氧的浓度分布中,Ca和氧的含量波峰的最高含量分别为Ca:5~20原子%、和氧:30~50原子%。

著录项

  • 公开/公告号CN102197488A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三菱综合材料株式会社;

    申请/专利号CN200980141877.X

  • 发明设计人 森晓;小见山昌三;

    申请日2009-09-24

  • 分类号H01L29/786;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人王岳

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-12-18 03:17:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-08-21

    授权

    授权

  • 2012-02-15

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L29/786 变更前: 变更后:

    专利申请权、专利权的转移

  • 2011-11-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/786 申请日:20090924

    实质审查的生效

  • 2011-09-21

    公开

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