首页> 中国专利> 薄膜晶体管及薄膜晶体管基板及它们的制造方法及使用了它们的液晶显示装置及相关的装置及方法以及溅射靶及使用它成膜的透明导电膜及透明电极及相关的装置及方法

薄膜晶体管及薄膜晶体管基板及它们的制造方法及使用了它们的液晶显示装置及相关的装置及方法以及溅射靶及使用它成膜的透明导电膜及透明电极及相关的装置及方法

摘要

本发明提供具备基本上不会有由蚀刻造成的残渣等的产生的透明导电膜的薄膜晶体管型基板及其制造方法及使用了该薄膜晶体管型基板的液晶显示装置。在具备透明基板、设于所述透明基板上的源电极、设于所述透明基板上的漏电极、设于所述透明基板上的透明像素电极的薄膜晶体管型基板中,所述透明像素电极是作为主成分含有氧化铟,另外还含有选自氧化钨、氧化钼、氧化镍及氧化铌中的一种或两种以上的氧化物的透明导电膜,所述透明像素电极与所述源电极或所述漏电极电连接。本发明还提供此种薄膜晶体管型基板的制造方法及使用了该薄膜晶体管型基板的液晶显示装置。

著录项

  • 公开/公告号CN1918672A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-02-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 出光兴产株式会社;

    申请/专利号CN200580004503.5

  • 发明设计人 井上一吉;笘井重和;松原雅人;

    申请日2005-03-02

  • 分类号H01B5/14(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/34(20060101);G02F1/1343(20060101);G02F1/1368(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/285(20060101);H01L21/308(20060101);H01L21/3205(20060101);H01L29/786(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人朱丹

  • 地址 日本国东京都

  • 入库时间 2023-12-17 18:21:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01B5/14 授权公告日:20121003 终止日期:20190302 申请日:20050302

    专利权的终止

  • 2012-10-03

    授权

    授权

  • 2007-05-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-02-21

    公开

    公开

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