公开/公告号CN102176489A
专利类型发明专利
公开/公告日2011-09-07
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN201110044512.4
申请日2011-02-22
分类号H01L31/18(20060101);H01L31/0256(20060101);H01L31/0304(20060101);
代理机构31233 上海泰能知识产权代理事务所;
代理人宋缨;孙健
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2023-12-18 03:08:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-03-05
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20110907 申请日:20110222
发明专利申请公布后的驳回
2011-11-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20110222
实质审查的生效
2011-09-07
公开
公开
机译: 高性能,高带隙,晶格不匹配的GaInP太阳能电池
机译: 高性能,高带隙,晶格不匹配的GaInP太阳能电池
机译: 用于曝光系统的掩模具有遮光区域,该遮光区域包括具有晶格常数的光子晶体,其中,晶格常数与光的波长之比是在光子晶体的带隙内的比值。