公开/公告号CN103337556A
专利类型发明专利
公开/公告日2013-10-02
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN201310234470.X
申请日2013-06-13
分类号H01L31/18;
代理机构上海泰能知识产权代理事务所;
代理人黄志达
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室
入库时间 2024-02-19 20:21:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-30
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20131002 申请日:20130613
发明专利申请公布后的视为撤回
2013-11-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20130613
实质审查的生效
2013-10-02
公开
公开
机译: 高性能,高带隙,晶格不匹配的GaInP太阳能电池
机译: 高性能,高带隙,晶格不匹配的GaInP太阳能电池
机译: 用于曝光系统的掩模具有遮光区域,该遮光区域包括具有晶格常数的光子晶体,其中,晶格常数与光的波长之比是在光子晶体的带隙内的比值。