一种铂电阻芯片及铂电阻芯片的制备方法

摘要

本发明公开了一种铂电阻芯片及制备方法。该铂电阻芯片包括在陶瓷基片3上沉积铂丝电阻体，铂丝电阻体上切割成长方锯齿形电阻细丝，电阻体设引线焊接点，引线焊接点一端与电阻细丝连接，另一端与镀铂镍线引线连接。方法包括：按质量比称取纯金属铂粉与氢氟酸混合，搅拌制成纯金属铂浆料；采用激光喷溅工艺将纯金属铂浆料喷射到陶瓷基片上；用激光切割铂金层成细丝；用激光调整细丝的阻值，细丝两端焊接镀铂镍线作为引线，与基片呈一体化独石结构，即成ptl000铂电阻芯片。结构简单，成本低，生产效率高，电阻值分散性小，测温范围：-50℃～450℃；耐高温性：可长期工作在300℃，广泛用于制造各种不同规格及不同金属材质的电阻芯片。