复合氮化物半导体结构的外延成长

摘要

在此提出制造复合氮化物半导体结构的设备及方法。III族前驱物和氮前驱物流入第一处理室，以利用热化学气相沉积制程沉积第一层于基材上。基材从第一处理室传送到第二处理室。III族前驱物和氮前驱物流入第二处理室，以利用热化学气相沉积制程沉积第二层于第一层上。第一与第二III族前驱物具有不同的III族元素。