Sb2Te3-HfO2纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途

摘要

本发明提供一种Sb2Te3-HfO2纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途，其中，所述Sb2Te3-HfO2纳米复合相变材料包含：重量百分比为2-30％的介质材料HfO2和重量百分比为70-98％的Sb2Te3相变材料，由于Sb2Te3相变材料与HfO2在纳米尺度的均匀复合，相变材料分布在介质材料HfO2形成的纳米框架结构中，一方面抑制了相变材料的结晶，提升了材料的晶化温度；另一方面相变材料的挥发得到了有效的抑制，组分偏析情况得到明显改善，增加了材料的稳定性。这种新型纳米复合相变薄膜应用到存储器中，可使相变存储器件的RESET电压降低，有利于实现高密度存储，提高了相变存储器的编程过程中的加热效率，降低了其功耗，提升了数据保持能力、疲劳特性和抗辐照能力等。