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一种光刻胶三维刻蚀过程模拟的改进快速推进方法

摘要

光刻胶三维刻蚀过程模拟的改进快速推进方法是一种光刻胶三维刻蚀过程模拟的改进快速推进方法,在保证误差不大于10%的前提下,改善了传统快速推进算法对存储空间的要求,这对于实现MEMS和IC中三维光刻过程的高精度模拟具有实用意义,a.将速度值与时间值按照科学技术法的格式压缩入同一矩阵,网格点对应NarrowBand中的位置和状态值则压缩入另一个矩阵;b.根据物理、化学模型计算出的光刻胶刻蚀反应速率矩阵与压缩后的时间速度数据矩阵占用同一空间;满足以上两个条件的快速推进算法即该视为用于光刻胶三维刻蚀过程模拟的改进快速推进方法。

著录项

  • 公开/公告号CN102122119A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-07-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东南大学;

    申请/专利号CN201110065443.5

  • 发明设计人 施立立;周再发;黄庆安;李伟华;

    申请日2011-03-16

  • 分类号G03F7/20;G06F17/50;

  • 代理机构南京天翼专利代理有限责任公司;

  • 代理人汤志武

  • 地址 211189 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号

  • 入库时间 2023-12-18 03:00:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-12-18

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G03F7/20 申请公布日:20110713 申请日:20110316

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-08-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/20 申请日:20110316

    实质审查的生效

  • 2011-07-13

    公开

    公开

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