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集成电路上的金属薄膜电阻及其制作方法

摘要

本发明公开了一种集成电路上的金属薄膜电阻,集成电路上还包括有金属电容,金属电容包括下层电极、中间层的介质层和上层电极,金属薄膜电阻包括两个相互分离的端部电极,端部电极的材料与金属电容的上层电极相同,端部电极上面铺有经过光刻和刻蚀的电阻层,电阻层上铺有隔离层,端部电极向上通过通孔被引出。本发明还公开了一种上述金属薄膜电阻的制作方法,在制作集成电路上金属电容的上层电极的同时制作本发明金属薄膜电阻的端部电极。本发明将集成电路上金属薄膜电阻的制作过程与金属电容的制作过程结合在一起,在金属电容的制作过程中加入一次光刻和刻蚀完成金属薄膜电阻制作,简化了工艺过程,提高了生产效率。

著录项

  • 公开/公告号CN102136473A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-07-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹NEC电子有限公司;

    申请/专利号CN201010100492.3

  • 发明设计人 彭虎;

    申请日2010-01-25

  • 分类号H01L27/00;H01L21/02;

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人顾继光

  • 地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号

  • 入库时间 2023-12-18 02:51:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-06-05

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L27/00 申请公布日:20110727 申请日:20100125

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-09-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/00 申请日:20100125

    实质审查的生效

  • 2011-07-27

    公开

    公开

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