含埋入式金属薄膜型电阻的FPCB工艺开发

摘要

本文以Omegal公司的电阻型铜箔为基材(选用方阻为25Ω/口),与台虹PI保护膜(10um的胶,25um的PI)压合,通过FPCB工艺形成含埋阻式FPC,讨论了影响埋阻式电子线路的电阻产生公差因素及其产生的原因.其结果表明:埋入式电阻的尺寸越小,其电阻公差越大,同时电阻器的宽度控制在300um以上,其电阻公差控制在小于2％;对含埋入电阻的电子线路电阻公差产生的原因分析表明:碱性蚀铜形成电阻的过程中,蚀刻精度的控制是减少电阻公差的关键.