公开/公告号CN102067235A
专利类型发明专利
公开/公告日2011-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人 奈米闪芯积体电路有限公司;
申请/专利号CN200980122962.1
申请日2009-05-07
分类号G11C16/04(20060101);
代理机构北京华夏博通专利事务所;
代理人刘俊
地址 美国加州
入库时间 2023-12-18 02:26:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-04-09
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11C16/04 申请公布日:20110518 申请日:20090507
发明专利申请公布后的视为撤回
2011-07-20
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/04 申请日:20090507
实质审查的生效
2011-05-18
公开
公开
机译: 基于NAND的NMOS NOR闪存单元,基于NAND的NMOS NOR闪存阵列以及形成基于NAND的NMOS NOR闪存阵列的方法
机译: 基于NAND的NMOS NOR闪存存储单元,基于NAND的NMOS NOR闪存存储阵列以及形成基于NAND的NMOS NOR闪存存储阵列的方法
机译: 基于NAND的NMOS NOR闪存单元,基于NAND的NMOS NOR闪存阵列以及形成基于NAND的NMOS闪存阵列的方法