摘要：在激光间接驱动内爆研究中,为了测量内爆区等离子体的电子温度,电子密度等状态参数,实验中一般通过观测内爆过程中靶丸内部中高Z离子的K壳层发射谱线的谱线展宽及谱线相对强度比来推断这些参数.本文对最近在神光Ⅱ装置上开展的这方面研究工作进行了简要介绍.实验中采用八路激光注入标准柱腔驱动玻璃壳聚变靶丸实现聚心内爆,用PET平晶谱仪对内爆过程中靶丸的X射线发射谱进行时间积分测量.在空间分辨与空间积分两种测量方式中,均观测到了Si元素的K壳层发射谱线.利用实验谱中两条Si线Heα和Lyα线的强度比,并假设靶丸壳层满足局域热动平衡条件,得出壳层等离子体时空平均电子温度约为430eV,该结果与采用辐射流体动力学数值模拟给出的电子温度范围基本一致.另外,对Si元素Lyα线的伴线结构进行了分析,通过理论计算给出了2p<'2>(<'3>P)-1s2p(<'3>P)跃迁线与2s2p(<'3>P)-1s2s(<'3>P,<'3>S)跃迁线的强度的强度比对电子密度的敏感特性曲线,并利用实验中可以分辨的伴线系之间的相对强度比与相关理论计算结果比对,对内爆靶丸壳层的电子密度进行了诊断,得出靶丸壳层电子密度大约为(7.0~9.0)×10<'22>cm<'-3>.
