法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-10-24
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G02B5/18 申请公布日:20110504 申请日:20101026
发明专利申请公布后的驳回
2011-06-15
实质审查的生效 IPC(主分类):G02B5/18 申请日:20101026
实质审查的生效
2011-05-04
公开
公开
机译: 灰度成像掩模,用于灰度成像掩模的光学成像设备以及用于编码和使用灰度成像掩模的方法
机译: 互补MOS晶体管双金属栅极晶体管,一种集成电路的制造方法,包括进行化学机械抛光直到获得掩模层,并消除沉积的掩模层
机译: 通过使用吸收剂层制造用于产生灰度DOE的灰度掩模的方法