太阳能级CZ硅单晶控制热施主工艺

摘要

一种太阳能级CZ单晶硅热施主的控制工艺，本工艺解决的技术问题是控制CZ硅单晶头部的热施主浓度，较少或杜绝需退火处理的硅片。工艺主要步骤一、装料、化料、吊渣、掺杂或预掺；二、挥发；三、引晶、放肩、转肩、等径、收尾；四、收尾，提断，升晶体，降温。本发明与现有行业工艺相比，可将热施主浓度下降60-75％，有效减少需退火硅片，降低成本，提高质量。