一种空腔型薄膜体声波谐振器(FBAR)的制作方法

摘要

本发明涉及一种空腔型薄膜体声波谐振器，包括一种带空腔SOI基片和设置其上的压电薄膜换能器构成。其特征为：所述带空腔SOI基片中的衬底硅片表面设置沟槽，键合后衬底硅片与顶层硅形成封闭的空腔结构；顶层硅上部设置换能器，换能器由压电薄膜以及镀在压电薄膜上下表面的薄电极构成；谐振器可调谐，通过控制空腔上部顶层硅的刻蚀时间来调整其厚度，从而调整谐振器的谐振频率。由于采用预设的空腔结构，本发明无牺牲层，无需国外专利及其产品中处理牺牲层采用的化学机械抛光工艺和牺牲层释放工艺，同时本发明综合了SOI材料所具有的源、漏寄生电容小和低电压低功耗等优点，能与IC兼容，易于集成，本发明工艺简单，适合批量生产。