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一种用于生长大晶粒铸造多晶硅的坩埚

摘要

本发明公开了一种用于生长大晶粒铸造多晶硅的坩埚,坩埚的底部的外壁为方形结构,坩埚的底部内壁为倒金字塔结构。本发明的坩埚有利于硅熔体在初始形核阶段形成尽可能少的晶核,并有效改善坩埚内部的热场,生长出高质量的大晶粒的铸造多晶硅。

著录项

  • 公开/公告号CN101935868A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-01-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN201010284751.2

  • 发明设计人 余学功;肖承全;杨德仁;

    申请日2010-09-17

  • 分类号C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06;

  • 代理机构杭州天勤知识产权代理有限公司;

  • 代理人唐柏松

  • 地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

  • 入库时间 2023-12-18 01:26:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-04-03

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B11/00 申请公布日:20110105 申请日:20100917

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2011-03-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B11/00 申请日:20100917

    实质审查的生效

  • 2011-01-05

    公开

    公开

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