首页> 中国专利> 一种带读电压偏置NMOS晶体管的电阻转换存储器

一种带读电压偏置NMOS晶体管的电阻转换存储器

摘要

本发明属于不挥发存储器技术领域,具体为一种带读电压偏置NMOS晶体管的电阻转换存储器。本发明通过在读电路模块和位线之间增加用于偏置存储阵列的预定读操作电压的NMOS晶体管,消除电路在读电路模块中由于工艺波动性等因素带来的读操作电压漂移,稳定读过程中位线上电压,结构相对简单,同时不需要明显增加芯片面积。

著录项

  • 公开/公告号CN101908373A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-12-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 复旦大学;

    申请/专利号CN200910052483.9

  • 发明设计人 林殷茵;吴雨欣;张佶;金钢;陈怡;

    申请日2009-06-04

  • 分类号G11C11/56;G11C16/02;G11C16/10;H01L45/00;

  • 代理机构上海正旦专利代理有限公司;

  • 代理人陆飞

  • 地址 200433 上海市邯郸路220号

  • 入库时间 2023-12-18 01:18:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-02-20

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11C11/56 申请公布日:20101208 申请日:20090604

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-01-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/56 申请日:20090604

    实质审查的生效

  • 2010-12-08

    公开

    公开

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