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一种采用环形栅结构的PMOS剂量计

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本发明涉及半导体辐照实验测试技术领域，公开了一种采用环形栅结构的PMOS剂量计，包括：形成于半导体衬底1上表面中心位置的圆形漏电极11；环绕圆形漏电极11周围的环形栅电极9；以及环绕环形栅电极9周围的环形源电极4。本发明实现了PMOS管阈值电压漂移与辐射总剂量之间的高度线性单调对应关系，从而使得辐射剂量的测量更加准确。

著录项

公开/公告号CN101872023A

专利类型发明专利
公开/公告日2010-10-27

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院微电子研究所;
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申请/专利号CN200910082091.7
发明设计人卜建辉;刘梦新;刘刚;卢烁今;韩郑生;
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申请日2009-04-22
分类号G01T1/02(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-12-18 01:09:32

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-02-27

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01T1/02 申请公布日:20101027 申请日:20090422

发明专利申请公布后的视为撤回
2010-12-08

实质审查的生效 IPC(主分类):G01T1/02 申请日:20090422

实质审查的生效
2010-10-27

公开

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1. 一种采用环形栅结构的PMOS剂量计 [P] . 中国专利： CN101872023A . 2010-10-27
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3. Semiconductor Device Portion Having Sub-Wavelength-Sized Gate Electrode Conductive Structures Formed from Linear Shaped Gate Electrode Layout Features Defined with Minimum End-to-End Spacing and Having Equal Number of PMOS and NMOS Transistors [P] . 美国专利： US2010012984A1 . 2010-01-21

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4. Semiconductor Device Portion Having Sub-193 Nanometers -Sized Gate Electrode Conductive Structures Formed from Linear Shaped Gate Electrode Layout Features Defined with Minimum End-to-End Spacing and Having Equal Number of PMOS and NMOS Transistors [P] . 美国专利： US2010032721A1 . 2010-02-11

机译：半导体器件部分具有小于193纳米尺寸的栅电极导电结构，该结构由线性形状的栅电极布局特征形成，并以最小的端到端间距定义并且具有相等数量的PMOS和NMOS晶体管
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