公开/公告号CN101867153A
专利类型发明专利
公开/公告日2010-10-20
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN200910081989.2
申请日2009-04-15
分类号H01S5/183(20060101);H01S5/06(20060101);H01S5/30(20060101);H01S5/02(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-18 01:05:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-03-06
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S5/183 申请公布日:20101020 申请日:20090415
发明专利申请公布后的驳回
2010-12-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/183 申请日:20090415
实质审查的生效
2010-10-20
公开
公开
机译: 垂直腔面发射激光器和制造垂直腔面发射激光器的二维光子晶体的方法
机译: 制造光子晶体或光子带隙垂直腔面发射激光器的方法
机译: 二维光子晶体垂直腔面发射激光器